本申请提供了一种半导体芯片设计中隔离器件的确定方法、装置及设备，涉及半导体芯片制造技术领域，该方法包括：确定隔离阱版图依赖参数与耐压值之间的版图依赖关系；根据版图依赖关系，建立与隔离器件的工艺要求对应的隔离器件模型；利用隔离器件模型构建待设计半导体芯片对应的仿真电路，并利用仿真电路进行集成电路仿真，以获取电路仿真结果；根据电路仿真结果及版图依赖关系，对仿真电路中的隔离阱版图依赖参数进行优化，以利用优化后的仿真电路进行实际的半导体芯片制造。通过采用上述半导体芯片设计中隔离器件的确定方法、装置及设备，解决了因MOS器件调配不当，导致芯片制造成本高、可靠性低及电源转换效率低的问题。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体芯片制造，具体而言，涉及一种半导体芯片设计中隔离器件的确定方法、装置及设备。
技术介绍
1、在电路设计上，金属-氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, mosfet）简称mos器件，通常使用mos器件作为开关控制器件，但是，mos器件除了具有开关功能之外，mos器件下深阱还有隔离作用。mos隔离器件，顾名思义是指使用mos器件进行电性隔离，隔离的原因各式各样，例如：隔离噪声，隔离闩锁效应（latch-up），电性隔离或者工艺特殊需求等，不同的隔离原因对应于不同的隔离器件需求。
2、然而，在半导体工艺中针对mos器件隔离阱规则通常仅仅是依据物理几何设计规则来调配mos器件隔离阱，以满足mos隔离需求，缺少对于电性规则的考量，这造成无法根据实际设计需求去灵活调配mos隔离器件问题，同时，由于mos隔离器件调配不当和/或选择不当，也会导致半导体芯片制造成本增加，可靠性降低，及其实际产品电源转换效率降低的问题。
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【技术保护点】
1.一种半导体芯片设计中隔离器件的确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定隔离阱版图依赖参数与耐压值之间的版图依赖关系，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺要求包括预估耐压值，所述根据所述电路仿真结果及所述版图依赖关系，对所述仿真电路中的隔离阱版图依赖参数进行优化，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺要求包括低开关电阻要求及预估耐压值，所述建立与所述隔离器件的工艺要求对应的隔离器件模型，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过以下方式利用优化后...
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片设计中隔离器件的确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定隔离阱版图依赖参数与耐压值之间的版图依赖关系，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺要求包括预估耐压值，所述根据所述电路仿真结果及所述版图依赖关系，对所述仿真电路中的隔离阱版图依赖参数进行优化，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺要求包括低开关电阻要求及预估耐压值，所述建立与所述隔离器件的工艺要求对应的隔离器件模型，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过以下方式利用优化后的仿真电路进行实际的半导体芯片制造：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述版图...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋德舟，赵斌，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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