【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氧化亚硅生产设备相关,特别是涉及一种导流管安装结构及氧化亚硅生产设备。
技术介绍
1、国内生产氧化亚硅的主流方法是气相沉积法,将单质硅和二氧化硅近同摩尔比例混合后研磨成微米量级的粉末,再在真空环境下加热到1000℃以上的温度进行歧化反应,并形成氧化亚硅以蒸气的形式溢出,在压力扩散的作用下被带向温度较低的地方并被冷凝成为氧化亚硅固体,而在1000℃以上的高温炉体中,坩埚和导流管之间的密封性对于炉体的安全性和材料反应的效率至关重要。
2、目前,传统的坩埚与导流管之间的密封方式通常使用机械压紧式密封结构或填充式密封结构,上述两种密封结构存在密封不严、操作复杂等问题,无法满足高温和腐蚀性环境下的密封需求,反应漏料比较严重,导致设备的安全性和效率性相对较差。
技术实现思路
1、基于此,有必要针对目前坩埚与导流管之间的密封方式无法满足高温和腐蚀性环境下的密封需求,导致设备反应漏料比较严重的问题,提供一种密封性能较好且安装便利的导流管安装结构及氧化亚硅生产设备。
2
...【技术保护点】
1.一种导流管安装结构,其特征在于,包括炉体(10)、调平组件(20)、坩埚(30)以及导流管(40),所述调平组件(20)包括坩埚托盘(21)以及多根调平柱(22),各所述调平柱(22)底端与所述炉体(10)螺纹连接,顶端承托所述坩埚托盘(21),所述坩埚(30)设置于所述坩埚托盘(21);
2.根据权利要求1所述的导流管安装结构,其特征在于,所述导向面(41)为锥面。
3.根据权利要求2所述的导流管安装结构,其特征在于,所述导向面(41)沿所述导流管(40)长度方向的长度范围为5cm~10cm。
4.根据权利要求3所述的导流管安
...【技术特征摘要】
1.一种导流管安装结构,其特征在于,包括炉体(10)、调平组件(20)、坩埚(30)以及导流管(40),所述调平组件(20)包括坩埚托盘(21)以及多根调平柱(22),各所述调平柱(22)底端与所述炉体(10)螺纹连接,顶端承托所述坩埚托盘(21),所述坩埚(30)设置于所述坩埚托盘(21);
2.根据权利要求1所述的导流管安装结构,其特征在于,所述导向面(41)为锥面。
3.根据权利要求2所述的导流管安装结构,其特征在于,所述导向面(41)沿所述导流管(40)长度方向的长度范围为5cm~10cm。
4.根据权利要求3所述的导流管安装结构,其特征在于,所述导向面(41)与所述导流管(40)长度方向之间的夹角为5°~15°。
5.根据权利要求1所述的导流管安装结构,其特征在于,各所述调平柱(22)以所述坩埚(30)的中轴线为中心沿周向方向均匀分布。
6.根据权利要求2所述的导流管安装结构,其特征在于,所述调平组件(20)包括五根所述调平柱(22)。
...
【专利技术属性】
技术研发人员:王光旭,李迎春,高工,何川,
申请(专利权)人:杭州嘉悦智能设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。