一种多晶提纯炉的硅料投料方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶提纯炉的硅料投料方法，包括通道料仓，通道料仓上设有真空管路，所述真空管路上连接设有三通管，真空管路内设置有单独控制的电磁阀；三通管的两个自由端分别连接抽真空组件和小料仓；小料仓上分别设有进料口和抽真空口，抽真空口连接有抽真空组件；S1：投入所需硅料至小料仓区熔；S2：启动抽真空组件对小料仓内预抽真空备用；S3：控制小料仓通过三通管由真空管路送料至通道料仓；S4：重复步骤S1‑S3使用。本发明专利技术与现有技术相比的优点在于：提供一种防止堵塞硅料，保证下料使用，防止晶棒质量波动的一种多晶提纯炉的硅料投料方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及物理法多晶硅提纯，具体是指一种多晶提纯炉的硅料投料方法。

技术介绍

1、多晶硅作为一种非金属元素晶体，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。此提纯是配套单晶硅棒使用的多晶硅料，单晶的晶体要求非常完整、材料纯度很高、资源丰富、技术成熟、工作效率稳定、光电转换效率较其它种类硅太阳能电池高、使用寿命长、对使用环境适应性强，是制备太阳能电池的理想材料。

2、目前在多晶硅物理法提纯中，采用区熔+定向凝固工艺，此中工艺内原料需要预装且下料位置不固定，如果加其它硅料进行配比时会出现晶棒质量波动且又堵塞硅料现象，容易影响提纯工艺的实施。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是，克服以上技术缺陷，提供一种防止堵塞硅料，保证下料使用，防止晶棒质量波动的一种多晶提纯炉的硅料投料方法。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案为：一种多晶提纯炉的硅料投料方法，包括通道料仓，通道料仓上设有真空管路，所述真空管路上连接设有三通管，真空管路内设置有单独控制的电磁阀；三通管的两本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多晶提纯炉的硅料投料方法，包括通道料仓，通道料仓上设有真空管路，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种多晶提纯炉的硅料投料方法，其特征在于：所述小料仓与三通管之间还设有控制阀。

3.根据权利要求1所述的一种多晶提纯炉的硅料投料方法，其特征在于：所述S1中当硅料具有多个种类时，依次加料至小料仓后区熔备用。

4.根据权利要求1所述的一种多晶提纯炉的硅料投料方法，其特征在于：所述小料仓区熔温度≥1400℃。

5.根据权利要求1所述的一种多晶提纯炉的硅料投料方法，其特征在于：根据小料仓区进料口的尺寸对预投入硅料进行预粉碎，硅料尺寸≤1/...

【技术特征摘要】

1.一种多晶提纯炉的硅料投料方法，包括通道料仓，通道料仓上设有真空管路，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种多晶提纯炉的硅料投料方法，其特征在于：所述小料仓与三通管之间还设有控制阀。

3.根据权利要求1所述的一种多晶提纯炉的硅料投料方法，其特征在于：所述s1中当硅料具有多个种类时，依次加料至小料仓后区熔备用。

4.根据权利要求1所述的一种多晶提纯炉的硅料投料方法，其特征在于：所述小料仓区熔温度≥1400℃。

5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张忠华，凌继贝，杨平，冯绍，
申请(专利权)人：内蒙古沐邦新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：