【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于等效热传导的高温共烧陶瓷基板热仿真建模方法,尤其涉及一种高温共烧陶瓷基板热仿真建模分析方法,属于集成电路仿真分析领域。
技术介绍
1、高温共烧陶瓷(high temperature co-fired ceramic,htcc)是指在1,450℃以上与熔点较高的金属一并烧结的具有电气互连特性的陶瓷。htcc电路工艺采用丝网印刷制作,所选的导体材料一般为熔点较高的钨、钼、锰等金属或贵金属。高温共烧陶瓷由于材料烧结的温度很高,因而具有结构强度高、热导率高、化学稳定性好和布线密度高等优点,在陶瓷封装、大功率陶瓷基板等对热稳定性、基体机械强度、密封性等要求较高的领域有广泛应用。主要用于支撑芯片、传导信息、传导热量等。通常采用金属化的通孔实现层间连接。通孔金属化是指通过在陶瓷基板通孔内壁涂覆一层金属化浆料或者孔内填满金属化浆料,使得通孔实现上下面的电气连通。一般是通过通孔金属化涂覆设备使得厚膜金属化浆料通过陶瓷基板的通孔,使得孔壁的内壁表面均匀的涂覆一层金属化浆料或者孔内填满金属化浆料,实现层间导电同时加强散热。
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【技术保护点】
1.一种基于等效热传导的高温共烧陶瓷基板热仿真建模方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的一种基于等效热传导的高温共烧陶瓷基板热仿真建模方法,其特征在于,所述过程一,其包括分析芯片位置、热导率、发热功率大小,同时对比芯片及其附属结构耐热性,确定HTCC基板上高热而敏感的位置作为热传导的薄弱环节。
3.根据权利要求1所述的一种基于等效热传导的高温共烧陶瓷基板热仿真建模方法,其特征在于,所述过程二,其包括将以高热芯片为中心,高度为基板厚度,边缘为超过高热芯片或热传导薄弱环境边缘基板厚度值的区域作为热导区。
4.根据权利
...【技术特征摘要】
1.一种基于等效热传导的高温共烧陶瓷基板热仿真建模方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的一种基于等效热传导的高温共烧陶瓷基板热仿真建模方法,其特征在于,所述过程一,其包括分析芯片位置、热导率、发热功率大小,同时对比芯片及其附属结构耐热性,确定htcc基板上高热而敏感的位置作为热传导的薄弱环节。
3.根据权利要求1所述的一种基于等效热传导的高温共烧陶瓷基板热仿真建模方法,其特征在于,所述过程二,其包括将以高热芯片为中心,高度为基板厚度,边缘为超过高热芯片或热传导薄弱环境边缘基板厚度值的区域作为热导区。
4.根据权利要求1所述的一种基于等效热传导的高温共烧陶瓷基板热仿真建模方法,其特征在于,所述过...
【专利技术属性】
技术研发人员:高成,刘宇盟,黄姣英,游文超,
申请(专利权)人:北京航空航天大学,
类型:发明
国别省市:
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