【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种三维(3d)半导体存储器装置、其制造方法以及包括其的电子系统，更具体地，涉及一种包括竖直沟道的非易失性3d半导体存储器装置、其制造方法以及包括其的电子系统。
技术介绍
1、需要数据储存的电子系统可能需要能够存储高容量数据的半导体装置。为了在增加半导体装置的数据储存容量的同时满足半导体装置的性能和成本目标，可能需要提高半导体装置的集成密度。二维(2d)或平面半导体装置的集成密度可主要由单位存储器单元占据的面积决定，因此2d或平面半导体装置的集成密度会受到形成精细图案的技术(即，按比例缩放)的极大影响。然而，由于需要非常高价格的设备来形成精细图案，所以虽然2d半导体装置的集成密度持续增加，但是仍然受到限制。因此，已经开发了包括三维排列的存储器单元的三维(3d)半导体存储器装置以解决上述限制中的至少一些。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施例可提供一种能够改善电特性并易于制造的三维(3d)半导体存储器装置及其制造方法。
2、本专利技术构思的实施例还可提供一种包括3d...
【技术保护点】
1.一种三维半导体存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述焊盘绝缘图案的截面厚度和所述焊盘的截面厚度之和小于所述平行插塞部分的截面厚度。
3.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，相对于所述选择导线的顶表面，所述焊盘的顶表面在所述第一方向上的水平高度低于所述平行插塞部分的顶表面的水平高度。
4.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述绝缘图案包括在所述第一方向上布置在与所述焊盘绝缘图案相同的水平高度处的相邻绝缘图案，并且
5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装
...【技术特征摘要】
1.一种三维半导体存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述焊盘绝缘图案的截面厚度和所述焊盘的截面厚度之和小于所述平行插塞部分的截面厚度。
3.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，相对于所述选择导线的顶表面，所述焊盘的顶表面在所述第一方向上的水平高度低于所述平行插塞部分的顶表面的水平高度。
4.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述绝缘图案包括在所述第一方向上布置在与所述焊盘绝缘图案相同的水平高度处的相邻绝缘图案，并且
5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，还包括：
6.根据权利要求5所述的三维半导体存储器装置，其中，所述选择导线的第一侧表面与所述平行插塞部分接触，并且
7.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述平行插塞部分的侧表面与所述选择导线、所述焊盘绝缘图案和所述焊盘接触。
8.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述平行插塞部分的侧表面包括第一弯曲表面、连接侧表面和第二弯曲表面，
9.根据权利要求8所述的三维半导体存储器装置，其中，在所述第二方向上从所述平行插塞部分的所述第一弯曲表面延伸的所述平行插塞部分的底表面与所述选择导线接触。
10.一种三维半导体存储器装置，包括：
11.根据...
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