一种尾气回收处理装置、方法、设备及半导体工艺系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种尾气回收处理装置、方法、设备及半导体工艺系统，尾气回收处理装置包括冷凝单元、储液单元、脱附吸附单元、提纯单元、输送单元、第一泄压单元和第二泄压单元。其优点在于，通过将冷凝单元与上游气体处理设备、储液单元连通，可将高温气体中所携带的液态分子全部冷凝，并将冷凝液体存储在储液单元的内部；通过将脱附吸附单元与储液单元连通，可对冷凝气体中的液态分子进一步去除，保证冷凝气体的干燥性；通过将提纯单元与所述脱附吸附单元连通，提纯单元仅供小分子氢气通过，从而实现对干燥气体中的杂气去除并将杂气输送至尾气燃烧处理装置进行处理，进一步提升氢气的纯度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体气体工艺处理，尤其涉及一种尾气回收处理装置、方法、设备及半导体工艺系统。

技术介绍

1、半导体工艺中使用最广泛、用量最大的气体是氢气，本系统是针对半导体中h2尾气的回收系统，目前，在半导体制程生产中，这些制程后残存的气体从无尘室通过真空管出来后，需经尾气处理设备通过燃烧或水洗、冷凝、吸附式等方法先行处理，再排入中央废气处理系统，这种处理方式造成了极大的浪费。

2、在氢气的制备过程中，制备出的气体含有大量的杂气需要通过过滤提纯处理。目前，针对h2的提纯过滤，中国专利技术专利(cn117531327a)公开了一种改良西门子法生产多晶硅工艺中氢气提纯装置，前置冷凝单元，与改良西门子法生产多晶硅工艺的尾气连通，所述尾气经过前置冷凝单元处理后得到第一处理气体；压缩单元，与所述前置冷凝单元连通，第一处理气体经压缩单元压缩后得到第二处理气体，所述第二处理气体的压力为1.2～1.5mpa；后置冷凝单元，与所述压缩单元连通，所述第二处理气体经后置冷凝单元进行逐级冷却后得到第三处理流体，所述第三处理流体的温度不高于-70℃；吸收解析单元，与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种尾气回收处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的尾气回收处理装置，其特征在于，所述冷凝单元包括：

3.根据权利要求2所述的尾气回收处理装置，其特征在于，所述冷凝单元还包括：

4.根据权利要求2或3所述的尾气回收处理装置，其特征在于，所述脱附吸附单元还包括：

5.根据权利要求2～4任一所述的尾气回收处理装置，其特征在于，所述冷凝单元还包括：

6.根据权利要求1～5任一所述的尾气回收处理装置，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求1～6任一所述的尾气回收处理装置，其特征在于，所述冷凝单元、所述储液单...

【技术特征摘要】

1.一种尾气回收处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的尾气回收处理装置，其特征在于，所述冷凝单元包括：

3.根据权利要求2所述的尾气回收处理装置，其特征在于，所述冷凝单元还包括：

4.根据权利要求2或3所述的尾气回收处理装置，其特征在于，所述脱附吸附单元还包括：

5.根据权利要求2～4任一所述的尾气回收处理装置，其特征在于，所述冷凝单元还包括：

6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晋禛，葛菡，纪雪峰，
申请(专利权)人：上海良薇机电工程有限公司，
类型：发明
国别省市：