【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电池，尤其涉及一种背接触异质结电池及其制作方法。
技术介绍
1、隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxide passivated contact，topcon)电池技术，旨在通过解决电池载流子选择钝化接触问题来提高太阳能电池的效率。topcon技术的主要特点是在衬底表面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂多晶硅薄层，topcon结构具有载流子选择性，具有全面积钝化接触的特性，钝化效果较好。
2、topcon技术与现有晶硅电池技术基本兼容，然而本征薄膜异质结(hereto-junction with intrinsic thin-layer，hjt)技术是完全不同的工艺，因此，如何将topcon技术和hjt技术相结合，以改善电池性能是亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
2、为此，本申请的第一个目的在于提出一种背接触异质结电池。
3、本申请的第二个目的在于提出一种背接触异质结电池的制
【技术保护点】
1.一种背接触异质结电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述非晶硅发射极层中还包括：
3.根据权利要求2所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述第二发射极为多晶硅发射极或非晶硅发射极。
4.根据权利要求2所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述背接触异质结电池还包括：
5.根据权利要求4所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述背接触异质结电池还包括：
6.根据权利要求4所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述金属导电膜层中的金属材料为具有导电性的金属中的至少一种。<...
【技术特征摘要】
1.一种背接触异质结电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述非晶硅发射极层中还包括：
3.根据权利要求2所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述第二发射极为多晶硅发射极或非晶硅发射极。
4.根据权利要求2所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述背接触异质结电池还包括：
5.根据权利要求4所述的背接触异质结电池，其特征在于，所述背接触异质结电池还包括：
6.根据权利要求4所述的背接触...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗丽珍，赵东明，田鸿翔，周颖，肖平，郝志丹，
申请(专利权)人：华能嘉峪关新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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