一种反射隔热降氧装置制造方法及图纸

技术编号:42782908 阅读:66 留言:0更新日期:2024-09-21 00:42
本技术公开了一种反射隔热降氧装置,具体涉及降氧装置领域,包括包括单晶炉,其中单晶炉内部设置有坩埚,其中坩埚的表面设置有反射加热器,其中反射加热器的底部设置有降氧机构,并且降氧机构包括设置在反射加热器底部的降氧环,其中降氧环的横截面设置为弧形,其中降氧环的表面开设有多个安装孔,并且多个安装孔的内部均设置有固定筒,其中固定筒的底部螺纹连接有降氧杆,其中反射加热器的两侧均设置有固定板。本技术能够使降氧装置安装简便、不需要更改原有热场件,其次保证坩埚底部原料不结晶发生异常,而且反射加热器向下的热量直接作用在坩埚上,起倒保温作用降低了单晶炉的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及降氧装置,更具体地说,本技术涉及一种反射隔热降氧装置


技术介绍

1、光伏行业蓄势待发,单晶的品质、效率提升已迫在眉睫,单晶硅降氧提升电池片效率是一直以来的重点,将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化,然后将籽晶插入熔体表面进行熔接,将旋转的籽晶下降与熔体浸润接触,逐步提升,经引颈、缩颈、放肩、等径控制、收尾等步骤完或拉晶。

2、专利授权公告号:cn219044980u一种直拉单晶硅降氧热场装置及单晶炉,通过在下保温筒与中保温筒之间设置支撑环,支撑环的内径小于中保温筒和下保温筒的内径,支撑环能够有效阻隔中保温筒与坩埚组成的第一空间向下保温筒与坩埚组成的第二空间之间的对流,工作时,有效地阻挡了主反射加热器的热量传递到坩埚底部,使坩埚底部的温度保持恒定且较低,降低石英坩埚底部与熔硅的反应速率,减少氧含量进入硅晶体中,从而使单晶硅棒中的氧含量更低。

3、但是该结构在实际使用时,通过支撑环能够有效阻隔中保温筒与坩埚之间对流,从而使单晶硅棒中的氧含量更低,从而阻挡了主反射加热器的热量传递到坩埚底部,导致坩埚中下部过冷,从而发生结晶、漏硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反射隔热降氧装置,包括单晶炉(1),其特征在于:所述单晶炉(1)内部设置有坩埚(2),所述坩埚(2)的表面设置有反射加热器(3),所述反射加热器(3)的底部设置有降氧机构;

2.根据权利要求1所述的一种反射隔热降氧装置,其特征在于:所述单晶炉(1)的底部设置有下保温筒(9),所述下保温筒(9)的内部设置底部保温筒。

3.根据权利要求2所述的一种反射隔热降氧装置,其特征在于:所述下保温筒(9)与单晶炉(1)之间设置支撑环(10),所述支撑环(10)的内径小于单晶炉(1)和下保温筒(9)的内径。

4.根据权利要求1所述的一种反射隔热降氧装置,其特征...

【技术特征摘要】

1.一种反射隔热降氧装置,包括单晶炉(1),其特征在于:所述单晶炉(1)内部设置有坩埚(2),所述坩埚(2)的表面设置有反射加热器(3),所述反射加热器(3)的底部设置有降氧机构;

2.根据权利要求1所述的一种反射隔热降氧装置,其特征在于:所述单晶炉(1)的底部设置有下保温筒(9),所述下保温筒(9)的内部设置底部保温筒。

3.根据权利要求2所述的一种反射隔热降氧装置,其特征在于:所述下保温筒(9)与单晶炉(1)之间设置支撑环(10),所述支撑环(10)的内径小于单晶炉(1)和下保温筒(9)的...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩龙王建利郭嘉伟董智慧
申请(专利权)人:乌海市京运通新材料科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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