【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置及其制造方法，以及包括半导体装置的电子系统。
技术介绍
1、在要求数据存储的电子系统中，可能需要一种能够存储大容量数据的半导体装置。因此，正在研究用于增大半导体装置的数据存储容量的方法。例如，作为用于增大半导体装置的数据存储容量的方法之一，提出了一种包括三维布置的存储器单元而非二维布置的存储器单元的半导体装置。
技术实现思路
1、一个实施例寻求提供一种能够提高可靠性和生产效率的半导体装置和制造方法、以及包括半导体装置的电子系统。
2、一种半导体装置包括：电路区，其包括外围电路结构；以及所述电路区上的单元区，其中，所述单元区包括：单元阵列区；连接区；
3、栅极堆叠结构，其包括多个栅电极，其中，所述栅极堆叠结构包括所述电路区上的上结构和所述上结构与所述电路区之间的下结构；多个沟道结构，其在所述单元阵列区中穿过所述栅极堆叠结构；以及多个栅极接触部分，其在所述连接区中穿过所述栅极堆叠结构，其中，所述多个栅电极包括所述上结构的底部中的底部栅电极，其中，所述...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
11.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
11...
【专利技术属性】
技术研发人员：严暻植，金仁镐，金灿圭，尹柱美，李宁浩，D·郑，洪源基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。