存储结构、存储器及存储结构的制备方法技术

本公开提供一种存储结构、存储器及存储结构的制备方法，存储结构包括衬底、存储晶体管和存储单元，衬底中设置有凸起结构，凸起结构沿远离衬底的方向延伸；存储晶体管包括有源层，至少部分有源层位于凸起结构的顶部以及侧壁；有源层的顶部连接存储单元的第一电极，有源层的底部至少部分连接于信号线。由于有源层并非均位于同一平面上，而是部分有源层沿衬底的厚度方向延伸，可充分利用衬底厚度方向上的空间，从而可以缩小有源层的平面尺寸，以缩小存储晶体管的平面尺寸。因此，本公开提供的存储结构、存储器及存储结构的制备方法，能够缩小存储晶体管的平面尺寸，从而提高存储结构和存储器中的存储晶体管的密度，提高存储结构和存储晶器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种存储结构、存储器及存储结构的制备方法。

技术介绍

1、磁性随机存储器(mram)是基于硅基互补氧化物半导体(cmos)与磁性隧道结(mtj)技术的集成，是一种非易失性的存储器，它拥有静态随机存储器的高速读写能力，以及动态随机存储器的高集成度。

2、相关技术中，磁性随机存储器包括晶体管和磁性隧道结，磁性隧道结包括固定层、隧穿层以及自由层。晶体管的漏极连接至磁性隧道结的固定层，磁性隧道结的自由层连接至位线；晶体管的源极连接至源线。在磁性随机存储器正常工作时，自由层的磁化方向可以改变，而固定层的磁化方向保持不变。磁性随机存储器的电阻与自由层和固定层的相对磁化方向有关。当自由层的磁化方向相对于固定层的磁化方向发生改变时，磁性随机存储器的电阻值相应改变，对应于不同的存储信息。

3、然而，上述晶体管的平面尺寸较大。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种存储结构、存储器及存储结构的制备方法，能够缩小存储晶体管的平面尺寸，从而提高存储结构和存储器中的存储晶体管的密度，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储结构，其特征在于，包括衬底、存储晶体管和存储单元，所述衬底中设置有凸起结构，所述凸起结构沿远离所述衬底的方向延伸；

2.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述存储晶体管和所述存储单元均有多个，多个所述存储晶体管和多个所述存储单元均呈阵列间隔排布于所述衬底上，且一个所述存储单元对应位于一个所述存储晶体管的背离所述衬底的一侧。

3.根据权利要求2所述的存储结构，其特征在于，所述衬底中具有第一沟槽，所述凸起结构有多个，多个所述凸起结构呈阵列间隔排布于所述第一沟槽中；

4.根据权利要求3所述的存储结构，其特征在于，还包括字线，位于所述第一沟...

【技术特征摘要】

1.一种存储结构，其特征在于，包括衬底、存储晶体管和存储单元，所述衬底中设置有凸起结构，所述凸起结构沿远离所述衬底的方向延伸；

2.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述存储晶体管和所述存储单元均有多个，多个所述存储晶体管和多个所述存储单元均呈阵列间隔排布于所述衬底上，且一个所述存储单元对应位于一个所述存储晶体管的背离所述衬底的一侧。

3.根据权利要求2所述的存储结构，其特征在于，所述衬底中具有第一沟槽，所述凸起结构有多个，多个所述凸起结构呈阵列间隔排布于所述第一沟槽中；

4.根据权利要求3所述的存储结构，其特征在于，还包括字线，位于所述第一沟槽中的所述有源层中具有第二沟槽，所述字线位于所述第二沟槽中，所述字线环绕设置于所述有源层的至少部分外周，所述字线和所述有源层之间设置有栅极介质层。

5.根据权利要求4所述的存储结构，其特征在于，还包括信号线，所述信号线设置于所述第一沟槽的底部，所述有源层的源极部和漏极部中的另一者与所述信号线连接。

6.根据权利要求5所述的存储结构，其特征在于，还包括位线，所述位线设置于所述存储单元的背离所述衬底的一侧，所述位线连接至所述存储单元的第二电极。

7.根据权利要求6所述的存储结构，其特征在于，所述信号线沿第一方向延伸，沿所述第一方向排布的多个所述存储晶体管的所述有源层与同一条所述信号线连接；

8.根据权利要求7所述的存储结构，其特征在于，还包括隔离结构，每相邻两条所述字线之间具有第三沟槽，至少部分所述隔离结构位于所述第三沟槽中。

9.根据权利要求8所述的存储结构，其特征在于，还包括多个导电结构，所述导电结构位于所述凸起结构的顶部的所述有源层上，所述导电结构与所述存储晶体管对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓阳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：