公开了振荡器电路、电子设备和方法。在一个实施方式中，振荡器电路包括第一逆变器、第二逆变器、第三逆变器、电阻器、使能晶体管、第一电容器和第二电容器，使能晶体管的栅极被配置为接收第一使能信号，第二电容器与第一电容器形成电容器分压器。电容器分压器将第一逆变器处的第一电压限制到电源电压和接地之间的电压范围。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请总体上涉及电子设备。更具体地，本申请涉及具有减少的过电压的低速振荡器的电子设备。
技术介绍
1、包括接近传感器设备(例如，触摸板或触摸传感器设备)的输入设备广泛用于各种电子系统中。接近传感器设备可包括通常由表面区分的感测区域，其中接近传感器设备确定一个或多个输入对象的存在、位置和/或运动。接近传感器设备可用于为电子系统提供接口。例如，接近传感器设备可用作用于较大计算系统(例如，集成在笔记本或桌上型计算机中或笔记本或桌上型计算机的外围的不透明触摸板)的输入设备。接近传感器设备还经常用在较小的计算系统(例如，集成在蜂窝电话中的触摸屏)中。接近传感器设备还可用以检测输入对象(例如，手指、触笔、笔、指纹等)。
2、许多电子设备(包括输入设备)可被期望在宽的温度范围内并且以最小的功率操作。振荡器通常用于提供时钟信号。然而，振荡频率可能受到温度变化或设备击穿的影响，从而影响时钟信号。因此，可能期望电子设备包括在宽的温度范围内提供稳定振荡频率的电路，该电路将设备击穿最小化，尤其是在数字逆变器中包括的晶体管中的设备击穿最小化。
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【技术保护点】
1.一种振荡器电路，包括：
2.根据权利要求1所述的振荡器电路，还包括：
3.根据权利要求1所述的振荡器电路，还包括：
4.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中，所述第一电容器具有第一电容，其中，所述第二电容器具有等于所述第一电容的第二电容。
5.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中，所述第一逆变器、所述第二逆变器和所述第三逆变器每个是互补金属氧化物半导体(CMOS)逆变器。
6.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中，所述使能晶体管是P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
7.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种振荡器电路，包括：
2.根据权利要求1所述的振荡器电路，还包括：
3.根据权利要求1所述的振荡器电路，还包括：
4.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中，所述第一电容器具有第一电容，其中，所述第二电容器具有等于所述第一电容的第二电容。
5.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中，所述第一逆变器、所述第二逆变器和所述第三逆变器每个是互补金属氧化物半导体(cmos)逆变器。
6.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中，所述使能晶体管是p沟道金属氧化物半导体(pmos)晶体管。
7.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中，当所述使能晶体管处于打开状态时，所述第一节点处的所述第一电压等于所述电源电压，所述第二节点处的第二电压等于所述接地，所述第三节点处的第三电压等于所述电源电压，并且其中，所述第四节点处的第四电压等于所述接地。
8.根据权利要求7所述的振荡器电路，其中，当所述使能晶体管从所述打开状态变成关闭状态时，所述第一节点处的所述第一电压从所述电源电压变成等于所述接地，所述第二节点处的所述第二电压从所述接地变成等于所述电源电压，所述第三节点处的所述第三电压从所述电源电压变成等于所述接地，并且其中，所述第四节点处的所述第四电压从所述接地变为等于所述电源电压。
9.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中，所述第一逆变器、所述第二逆变器和所述第三逆变器每个包括多个晶体管，并且其中，所述第一逆变器、所述第二逆变器和所述第三逆变器中的所有晶体管具有相同的氧化物厚度。
10.一种电子设备，包括：
11.根据权利要求10...
【专利技术属性】
技术研发人员：埃里克·博安农，毛志伟，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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