跨厚封装件核心的高速信号转换制造技术

一种用于减轻集成电路(IC)封装件的电容不连续性的调谐结构，包括具有第一端部、第二端部以及在第一端部和第二端部之间的导体主体的电导体。第一端部被电耦合到信号过孔，并且第二端部被电耦合到IC封装核心过孔帽。电导体被设置成与核心过孔帽基本共面，并且导体主体沿核心过孔帽的外周边设置。第二端部在接触位置处耦合到过孔帽。接触位置基于与传输路径相关联的性能度量的测量结果而被确定，该传输路径通过IC封装核心、核心过孔帽、电导体和信号过孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、集成电路(ic)封装件(在无盖封装件的情况下)包封或保持ic裸片或晶粒，以保护ic裸片免受环境损害，并且提供用于连接到其他器件和系统(例如，连接到印刷电路板)的鲁棒接口。

2、ic技术的进步同时要求更大的ic裸片尺寸和更高速度的输入/输出(i/o)信令。这两项要求的组合证明为封装件设计带来了挑战，尤其是跨核心层的信号转换。更大的ic晶粒要求更好的共面性和更高的封装件强度。这可以通过使用1.2mm或1.4mm左右的较厚封装件核心来实现。封装件设计的目标是同时满足机械要求，并且通过核心为外部i/o高速提供从芯片到封装件系统连接的高质量信号互连。此类信号通常用于以太网、光网络互连论坛(oif)、pci快速(pci express)和其他标准定义的长距离链路。在此类标准中，封装件中的信号质量损失必须由硅来弥补。这可能导致更高的硅和功率成本。

3、在核心的顶表面和核心的底表面上制造一组堆积层(bu)，以制成完整的封装件。bu层由被电绝缘介电材料层分隔的电导体层组成。ic裸片安装在顶部bu层组的表面上。底部bu层组有助于与电子系本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种调谐结构，用以减小集成电路(IC)封装件的电容不连续性，包括：

2.根据权利要求1所述的调谐结构，其中所述电导体沿所述核心过孔帽的所述外周边延伸通过角度θ，所述角度θ是从第一线到第二线测量的，所述第一线从所述核心过孔帽的中心点延伸到所述信号过孔，所述第二线从所述核心过孔帽的所述中心点延伸到其中所述第二端部被电耦合到所述核心过孔帽的接触位置。

3.根据权利要求2所述的调谐结构，其中传输路径包括所述核心过孔、所述核心过孔帽、所述电导体和所述信号过孔，并且其中所述接触位置基于所述传输路径的TDR测量结果通过调整角度θ而被设定。

4.根据权利要求3所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种调谐结构，用以减小集成电路(ic)封装件的电容不连续性，包括：

2.根据权利要求1所述的调谐结构，其中所述电导体沿所述核心过孔帽的所述外周边延伸通过角度θ，所述角度θ是从第一线到第二线测量的，所述第一线从所述核心过孔帽的中心点延伸到所述信号过孔，所述第二线从所述核心过孔帽的所述中心点延伸到其中所述第二端部被电耦合到所述核心过孔帽的接触位置。

3.根据权利要求2所述的调谐结构，其中传输路径包括所述核心过孔、所述核心过孔帽、所述电导体和所述信号过孔，并且其中所述接触位置基于所述传输路径的tdr测量结果通过调整角度θ而被设定。

4.根据权利要求3所述的调谐结构，其中所述角度θ被调整以减小由所述tdr测量结果产生的阻抗变化。

5.根据权利要求2所述的调谐结构，其中传输路径包括所述核心过孔、所述核心过孔帽、所述电导体和所述信号过孔，并且其中所述接触位置基于所述传输路径的插入损耗测量结果通过调整角度θ而被移动。

6.根据权利要求5所述的调谐结构，其中所述角度θ被调整以减小所述插入损耗测量结果的波动幅度。

7.根据权利要求2所述的调谐结构，其中传输路径包括所述核心过孔、所述核心过孔帽、所述电导体和所述信号过孔，并且其中所述接触位置基于所述传输路径的回波损耗测量结果通过调整角度θ而被移动。

8.根据权利要求7所述的调谐结构，其中所述角度θ被调整以减小所述回波损耗测量结果的回波损耗幅度。

9.根据权利要求2所述的调谐结构，其中所述角度θ在零与360度之间。

10.根据权利要求2所述的调谐结构，其中所述角度θ大于360度。

11.一种调谐集成电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·金米特，J·R·布兹克维克兹，
申请(专利权)人：马维尔亚洲私人有限公司，
类型：发明
国别省市：