接合体的制造方法和被接合体的接合方法技术

制造第1被接合体(11)和第2被接合体(13)借助接合层接合而成的接合体。将包含铜颗粒和有机溶剂的糊剂涂布于第1被接合体(11)而形成涂膜(12X)。在涂膜(12X)上载置第2被接合体(13)而形成层叠体(15)。对层叠体(15)进行加热和加压，使涂膜(12X)中的铜颗粒烧结而形成接合层。逐渐增加地进行从加热开始温度起至达到最高温度Tm为止的加热，并且逐渐增加地进行从加压开始压力起至达到最高压力Pm为止的加压，并且将加热温度达到200℃时的压力设为15MPa以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及接合体的制造方法和被接合体的接合方法。

技术介绍

1、近年来，越来越多地使用igbt等被称为功率器件的半导体器件作为逆变器等电力转换和控制装置。为了制造这种半导体器件，已经提出了使用金属糊剂作为接合半导体元件与电路基板等的手段的各种方案。

2、例如，专利文献1中公开了一种烧结接合部的可靠性高且能够抑制因加压而对半导体元件造成的损伤的半导体装置的制造方法。该文献中公开了在规定的时机对成为烧结接合部的烧结性金属颗粒进行加热和加压。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2018-110149号公报

技术实现思路

1、根据上述技术，由于在达到烧结开始温度时对半导体元件施加高压，因此存在俯视烧结接合部时的该烧结接合部的端部区域中的未载置所述半导体元件的部分(以下，也称为“圆角部”。)的角部等产生裂纹的技术问题。

2、因此，本专利技术的技术问题在于提供能够抑制圆角部产生裂纹的接合体的制造方法。

3、本专利技术提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种接合体的制造方法，其是第1被接合体和第2被接合体借助接合层接合而成的接合体的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，以在所述涂膜上载置所述第2被接合体时，达到所述涂膜从所述第2被接合体的周缘伸出的尺寸的方式涂布所述涂膜。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，在所述烧成工序中，在加热达到最高温度Tm之后使加压达到最高压力Pm。

4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，从加热开始温度起至达到最高温度Tm为止，不具有10秒以上的恒温过程。

5.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，从加压开始压力起至达到最...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种接合体的制造方法，其是第1被接合体和第2被接合体借助接合层接合而成的接合体的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，以在所述涂膜上载置所述第2被接合体时，达到所述涂膜从所述第2被接合体的周缘伸出的尺寸的方式涂布所述涂膜。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，在所述烧成工序中，在加热达到最高温度tm之后使加压达到最高压力pm。

4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，从加热开始温度起至达到最高温度tm为止，不具有10秒以上的恒温过程。

5.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，从加压开始压力起至达到最高压力pm为止，不具有10秒以上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部隆志，山内真一，穴井圭，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：