【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学器件，尤其涉及能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法。
技术介绍
1、光自旋霍尔效应(spin hall effect of light,，shel)可视为电子系统中自旋霍尔效应的演化，是光学界的一个基本现象。其原理为：光束穿过光学界面或非均匀介质后，发生光子的横向(垂直于传播方向)自旋相关分裂。且类似于电子自旋霍尔效应，shel可作为能量和信息传播的载体，在能量存储、测量、操作等方面的显示出巨大潜力。同时，通过弱测量观察到shel偏移对多种介质表面参数具有很高的敏感性，因此shel在微小变量的表征中具有强大的影响力。
2、自2004年，kato等人在gaas半导体中的首次观察到shel以来，自旋霍尔效应已成为凝聚态物理领域的热点。实际上，光自旋霍尔效应起源于soi(绝缘硅片)，并主要归因于光的两种几何相位，即与波矢传播方向相关的ryto-vladimirskii-berry(rvb)相位以及与光的偏振操控相关的pancharatnam-berry(pb...
【技术保护点】
1.一种能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件，其特征在于：包括呈周期性排布的多个超单元，超单元由全硅介质制备，且超单元包括长方体基座和垂直成型于长方体基座顶端的花瓣型立柱，花瓣型立柱包括垂直相交的两个椭圆立柱。
2.根据权利要求1所述的能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件，其特征在于：多个超单元的排布周期P＝140μm；
3.根据权利要求2所述的能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件，其特征在于：超单元的透射率大于0.6。
4.如上述权利要求1-3任一项所述的能够产生可观测光自旋霍尔效应...
【技术特征摘要】
1.一种能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件，其特征在于：包括呈周期性排布的多个超单元，超单元由全硅介质制备，且超单元包括长方体基座和垂直成型于长方体基座顶端的花瓣型立柱，花瓣型立柱包括垂直相交的两个椭圆立柱。
2.根据权利要求1所述的能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件，其特征在于：多个超单元的排布周期p＝140μm；
3.根据权利要求2所述的能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件，其特征在于：超单元的透射率大于0.6。
4.如上述权利要求1-3任一项所述的能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，其特征在于：包括以下步骤：
5.如上述权利要求4所述的能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，其特征在于：步骤s1具体包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗莉，邹雨欣，李杰，何宇，梁潇，王灵之，周玲，霍佳慧，杨旭，
申请(专利权)人：成都信息工程大学，
类型：发明
国别省市：
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