【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及eeprom仿真方法和实施这些方法的存储器电路。
技术介绍
1、许多应用要求在它们的使用期间的非易失性数据存储。电可擦可编程只读存储器(eeprom)型的存储器可以被用于这一目的。这些eeproms经常是在使用它们的集成电路的外部。
2、已经被提供的是，仿真在被集成到系统级芯片的闪存中的eeprom的操作。这些解决方案专用于闪存并且不可以被转用到其他存储器技术中。
3、存在对获得集成与eeprom类似地操作的存储器的设备的需要，该设备与闪存以外的另一个存储器技术兼容。更具体地，存在对仿真相变存储器中的eeprom的解决方案的需要。
技术实现思路
1、实施例提供在集成微处理器的电路的相变存储器中的eeprom仿真方法。方法包括以下步骤：根据将被写入的每个数据包的大小，定义用于写入相变存储器的行的粒度；将由所述微处理器执行的程序计算的第一纠错码与每个数据包相关联；以及将每个数据包的第一纠错码存储在与数据包相同的行中。
2、根据实施例，相变存储器...
【技术保护点】
1.一种在集成微处理器的电路的相变存储器中的电可擦可编程只读存储器EEPROM仿真的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述相变存储器的每行具有存储至少两个数据包和它们的相关联的第一纠错码的容量。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述相变存储器的每行包括数据区和由硬件运算器针对那一行计算的第二纠错码的存储区，所述方法进一步包括，当那一行被用于EEPROM仿真存储时，停用所述第二纠错码。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述数据包和它们的相关联的第一纠错码被存储在所述相变存储器的所述行的所述数据区中。<...
【技术特征摘要】
1.一种在集成微处理器的电路的相变存储器中的电可擦可编程只读存储器eeprom仿真的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述相变存储器的每行具有存储至少两个数据包和它们的相关联的第一纠错码的容量。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述相变存储器的每行包括数据区和由硬件运算器针对那一行计算的第二纠错码的存储区，所述方法进一步包括，当那一行被用于eeprom仿真存储时，停用所述第二纠错码。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述数据包和它们的相关联的第一纠错码被存储在所述相变存储器的所述行的所述数据区中。
5.根据权利要求1所述的方法，其中每个第一纠错码在它的相关联的数据包之后被写入。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述数据包和它们的相关联的第一纠错码被一个接一个地写入在所述相变存储器的所述相同行中。
7.根据权利要...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。