【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种注射器，其配置用于布置在衬底处理设备的反应室内，以将气体注入反应室中。注射器可以沿着第一轴线大致伸长，并且配置有沿着第一轴线延伸的内部气体传导通道，并且设置有至少一个气体入口和至少一个气体出口。注射器可以具有沿着垂直于第一轴线的第二轴线延伸的宽度，该宽度基本大于注射器沿着垂直于第一和第二轴线的第三轴线延伸的深度。
技术介绍
1、一种用于处理衬底例如半导体晶片的衬底处理设备(比如立式炉)可以包括放置在钟罩形处理管周围的加热元件。处理管的上端可以是封闭的，例如通过圆顶形结构，而处理管的下端表面可以是开放的。
2、下端可以由凸缘部分地封闭。由管和凸缘界定的内部形成反应室，待处置的晶片可以在其中被处理。凸缘可以设置有入口开口，用于将承载晶片的晶片舟皿插入反应室。晶片舟皿可被放置在门上，该门被竖直可移动地布置并且配置成封闭凸缘中的入口开口。
3、凸缘可以支撑一个或多个注射器，以向反应室提供气体。为此目的，注射器可以配置有内部气体传导通道。此外，排气管可以设置在凸缘中。该排气装置可以连接到真空泵，用于从反应...
【技术保护点】
1.一种注射器，其包括：
2.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第二轴线具有变化的厚度。
3.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第三轴线具有变化的厚度。
4.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第二和第三轴线在其圆周上具有变化的厚度。
5.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第一轴线具有变化的厚度。
6.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述内部气体传导通道具有基本上椭圆形的横截面，由此所述内部气体传导通道沿着第二轴线延伸基本...
【技术特征摘要】
1.一种注射器，其包括：
2.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第二轴线具有变化的厚度。
3.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第三轴线具有变化的厚度。
4.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第二和第三轴线在其圆周上具有变化的厚度。
5.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第一轴线具有变化的厚度。
6.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述内部气体传导通道具有基本上椭圆形的横截面，由此所述内部气体传导通道沿着第二轴线延伸基本大于内部气体传导通道沿着第三轴线延伸，其中所述基本椭圆形的横截面在第二方向的中间被具有增加厚度的壁局部夹缩。
7.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述内表面在所述壁的横截面中具有凸起部分和凹陷部分，在所述横截面，所述内部气体传导通道由所述壁围绕。
8.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述气体注射器的至少一个气体入口是在注射器的第一端的单个气体入口。
9.根据权利要求8所述的注射器，其中，所述气体注射器的至少一个气体出口是在与所述第一端相对的第二端的单个气体出口。
10.根据权利要求8所述的注射器，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·C·吉迪拉，C·G·M·德里德，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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