【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造，具体是一种光刻胶输送装置。
技术介绍
1、光刻胶涂布工艺是半导体硅片制造过程中的重要工艺，在光刻胶涂布过程中，光刻胶喷嘴与光刻胶输送系统连通，光刻胶输送系统通常包括相连通的光刻胶供给瓶和缓冲罐，为了使更换后新的光刻胶供给瓶中的光刻胶流到缓冲罐中，通常会使用高压氮气充入光刻胶供给瓶，促使光刻胶流动。
2、但充入光刻胶供给瓶的氮气会使光刻胶产生气泡，气泡会使光刻胶在涂布时导致晶圆缺陷，因此需要将气泡去除，但现有的光刻胶输送系统通过在缓冲罐上设置排液管去除气泡，这样的方式不仅去除气泡的效果差，而且由于光刻胶是通过氮气压入缓冲罐，容易混入空气，需要将这段光刻胶全部排出才可以避免气泡导致缺陷，容易造成光刻胶的浪费。
3、现有的公告号为cn114345644b的中国专利公开了一种光刻胶输送系统，该光刻胶输送系统包括光刻胶供给瓶、缓冲罐和排液胶泵，其中，缓冲罐的顶部设置有进液口和排液口，进液口与光刻胶供给瓶通过进液管路连通，以使光刻胶流入；缓冲罐的底部设置有光刻胶出口，光刻胶出口用于与光刻胶喷嘴连通，以使...
【技术保护点】
1.一种光刻胶输送装置，包括缓冲罐(1)和控制系统，其特征在于：所述缓冲罐(1)的底部开设有进气孔，所述缓冲罐(1)的顶部分别安装有进液端(2)、排气端(3)和出液端(7)，所述进液端(2)的顶部固定连接有进液管道(4)，所述进液管道(4)的另一端连接有光刻胶供给瓶(5)，所述进液管道(4)上安装有输送泵(6)，所述出液端(7)上固定连接有储存瓶(17)，所述进液端(2)上安装有电磁阀一(8)，所述排气端(3)上安装有电磁阀二(9)，所述出液端(7)上安装有电磁阀三(10)，所述控制系统依次与电磁阀一(8)、电磁阀二(9)、电磁阀三(10)和输送泵(6)电连接。>
2.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种光刻胶输送装置，包括缓冲罐(1)和控制系统，其特征在于：所述缓冲罐(1)的底部开设有进气孔，所述缓冲罐(1)的顶部分别安装有进液端(2)、排气端(3)和出液端(7)，所述进液端(2)的顶部固定连接有进液管道(4)，所述进液管道(4)的另一端连接有光刻胶供给瓶(5)，所述进液管道(4)上安装有输送泵(6)，所述出液端(7)上固定连接有储存瓶(17)，所述进液端(2)上安装有电磁阀一(8)，所述排气端(3)上安装有电磁阀二(9)，所述出液端(7)上安装有电磁阀三(10)，所述控制系统依次与电磁阀一(8)、电磁阀二(9)、电磁阀三(10)和输送泵(6)电连接。
2.根据权利要求1所述的光刻胶输送装置，其特征在于：所述出液端(7)通过管道连接有供胶泵(11)，所述供胶泵(11)通过管道连接有光刻胶喷嘴(12)，所述供胶泵(11)与控制系统电连接。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：林高弘，
申请(专利权)人：苏州明扬半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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