【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新能源材料，尤其涉及一种氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着科技的发展，人们对电池的需求日益增长，尤其是对具有高离子电导率和良好界面稳定性的正极涂层的需求。磷酸铝骨架作为一种潜在的候选材料，具有电中性、良好的骨架结构和热稳定性等优点，因此在催化、光学、电学等领域得到了广泛研究。然而，由于磷酸铝骨架不具备离子交换性和酸性中心，其应用受到了一定限制。
2、在固态电池的研究中，寻找一种应用效果良好的固态电解质成为了人们的迫切需求。tavor ite型化合物作为一种潜在的候选材料，受到了广泛关注。其具有相对稳定的结构和最有可能直接合成的优点。然而，像tavor i te型化合物中，磷酸铝锂虽然不含过渡金属，但其锂离子在结构中的扩散阻力较大，影响了其应用。
3、因此，尽管氟磷酸铝锂被报道为很有前途的正极涂层材料，但其在锂离子扩散方面的缺陷仍需进一步改进。开发一种具有高离子电导率、良好界面稳定性且锂离子扩散阻力小的正极涂层材料是当前研究的重点和难点。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料及其制备方法和应用。通过本专利技术提供的制备方法能够制备得到具有高离子电导率、能有效抑制其本身充电过程中体积膨胀的氯化锂包覆氟磷酸铝锂。。
2、为此，第一方面，本专利技术实施例提供了一种氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料的制备方法，所述制备方法包括：
3、将氟掺杂氧化铝粉体、磷酸铝、氟化铵以无水乙醇为
4、将碳酸锂加入所述混合液后进行冷冻干燥，得到前驱体；
5、将所述前驱体在马弗炉中煅烧得到煅烧产物；
6、将所述煅烧产物加入一定量的偏铝酸锂和氟化铵，以水为溶剂进行砂磨，对砂磨后的溶液进行冷冻干燥得到前驱体混合物；
7、将所述前驱体混合物置于马弗炉中进行煅烧，得到氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料。
8、优选的，所述氟掺杂氧化铝粉体与磷酸铝和氟化铵的质量比为1:1:1。
9、优选的，所述煅烧产物与偏铝酸锂和氟化铵的质量比为1:1:0.1-0.5。
10、优选的，所述碳酸锂的质量占所述前驱体混合物的总质量的8％-15％。
11、优选的，所述前驱体在马弗炉中煅烧的煅烧温度为1000-1500℃，煅烧时间为4-8h；
12、所述前驱体混合物在马弗炉中煅烧的温度为600-1000℃，煅烧时间为2-4h。
13、第二方面，本专利技术实施例提供了一种上述第一方面所述制备方法制备得到的氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料。
14、优选的，所述氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料的离子电导率为
15、4.5x10-5-3.8x10-4 s/m。
16、第三方面，本专利技术实施例提供了一种正极极片添加剂，包括上述第二方面所述的氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料。
17、第四方面，本专利技术实施例提供了一种正极极片，包括上述第三方面所述的正极极片添加剂。
18、本专利技术实施例提供的氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料的制备方法，能够能制备得到一种具有高离子电导率、较大比表面积和更强锂离子扩散性能的氯化铝包覆氟磷酸铝锂。
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1.一种氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氟掺杂氧化铝粉体与磷酸铝和氟化铵的质量比为1:1:1。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧产物与偏铝酸锂和氟化铵的质量比为1:1:0.1-0.5。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳酸锂的质量占所述前驱体混合物的总质量的8％-15％。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体在马弗炉中煅烧的煅烧温度为1000-1500℃，煅烧时间为4-8h；
6.一种上述权利要求1-5任一所述的制备方法制备得到的氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料。
7.根据权利要求6所述的氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料，其特征在于，所述氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料的离子电导率为4.5X10-5-3.8X10-4 S/m。
8.一种正极极片添加剂，其特征在于，所述正极极片添加剂包括上述权利要求6所述的氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料。
9.一种正极极片，其特征在于，所述
10.一种二次电池，其特征在于，所述二次电池包括上述权利要求9所述的正极极片。
...【技术特征摘要】
1.一种氯化铝包覆氟磷酸铝锂材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氟掺杂氧化铝粉体与磷酸铝和氟化铵的质量比为1:1:1。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧产物与偏铝酸锂和氟化铵的质量比为1:1:0.1-0.5。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳酸锂的质量占所述前驱体混合物的总质量的8％-15％。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体在马弗炉中煅烧的煅烧温度为1000-1500℃，煅烧时间为4-8...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹培基，曹文卓，闫昭，李婷，
申请(专利权)人：宜宾南木纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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