静态随机存取存储器单元及其版图结构制造技术

本发明专利技术提供了一种静态随机存取存储器单元及其版图结构，包括：反相器、第二上拉晶体管、第一传输晶体管、第二传输晶体管、读取下拉晶体管和读取传输晶体管，其中，反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管；第二上拉晶体管与反相器交叉连接，第一传输晶体管连接至反相器的输出和第二上拉晶体管的输入，第二传输晶体管连接至第二上拉晶体管的输出和反相器的输入；读取下拉晶体管连接至反相器的输入和第二上拉晶体管的输出，读取传输晶体管与读取下拉晶体管串联。本发明专利技术能够防止执行读取操作时信号的翻转，保证读取操作的稳定性，且降低存储器单元的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种静态随机存取存储器单元及其版图结构。

技术介绍

1、低功耗嵌入式存储器需求的不断增长，推动了新型静态随机存取存储器技术的发展。在亚阈值电压下工作可以实现大幅度的功耗降低，然而在这些低电压下运行会降低存储器的稳定性，因为snm(静态噪声容限)耗尽，对工艺变化和器件不匹配的敏感性更高。

2、现有一种标准的6t静态随机存取存储器单元，同时在6t静态随机存取存储器单元的一边节点加上两个nmos管构成8t静态随机存取存储器单元，可单独进行信号的读写。图1为一种8t静态随机存取存储器单元及其半选择破坏的示意图。请参考图1，图1中示意了8t静态随机存取存储器单元的电路，以及在读取“0”和“1”时rwl、wwl、mb、mt和rbl的波形，在8t静态随机存取存储器单元中同时执行读写操作时，容易发生信号读干扰，mb的波形存在信号读干扰(δv)，从而影响静态随机存取存储器单元读取信号的稳定性。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种静态随机存取存储器单元及其版图结构，防止执行读本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静态随机存取存储器单元，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第二传输晶体管的阈值电压低于所述第一传输晶体管、所述第一上拉晶体管、所述第一下拉晶体管和所述第二上拉晶体管的阈值电压。

3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管的阈值电压高于所述第一下拉晶体管和所述第一传输晶体管的阈值电压。

4.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管为PMOS管，所述第一下拉晶体管、所述第一传输晶体管、所述第二传输...

【技术特征摘要】

1.一种静态随机存取存储器单元，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第二传输晶体管的阈值电压低于所述第一传输晶体管、所述第一上拉晶体管、所述第一下拉晶体管和所述第二上拉晶体管的阈值电压。

3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管的阈值电压高于所述第一下拉晶体管和所述第一传输晶体管的阈值电压。

4.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管为pmos管，所述第一下拉晶体管、所述第一传输晶体管、所述第二传输晶体管、所述读取下拉晶体管和所述读取传输晶体管为nmos管。

5.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第二传输晶体管的漏极连接至位线，在待机和执行读取操作时，所述第二传输晶体管的漏极保持低电平。

6.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴栋诚，范茂成，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：