【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种电容器件及电容器件的制造方法。
技术介绍
1、在半导体技术中，电容器件是广泛应用的一种器件。其中，mim（metal-insulator-metal）电容器件通常是由三层组成，包括上层金属层、下层金属层、以及位于上层金属层和下层金属层之间的绝缘层组成，其增大电容的方式通常为增大电容面积、降低绝缘层厚度、多层mim电容并联。
2、在实际操作中，本申请的研发人员发现，增大电容面积会增大芯片的面积；而降低绝缘层的厚度或多层mim电容并联会导致工艺复杂，成本高，难以提升电容器件的电容，影响了后续产品的性能。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决的技术问题是：提供一种电容器件及电容器件的制造方法，形成多层电极板层的mim电容，能够有效提升电容器件的电容，提升后续产品的性能。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种电容器件，包括：半导体基体、至少三层电极板层、至少两层绝缘层；至少三层电极板层设置在半导体基体上，其中，第一...
【技术保护点】
1.一种电容器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电容器件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的电容器件，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的电容器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的电容器件，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的电容器件，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的电容器件，其特征在于，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的电容器件，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的电容器件，其特征在于，
10.根据权利要求7所述的电容器
【技术特征摘要】
1.一种电容器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电容器件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的电容器件，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的电容器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的电容器件，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的电容器件，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的电容器件，其特征在于，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的电容器件，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的电容器件，其特征在于，
10.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘冬，王森，刘念，丁峰，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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