【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及激光器封装件和用于制造激光器封装件的方法。
技术介绍
1、在制造激光器封装件时，半导体激光器目前通常安装在铜散热器上，以便将半导体激光器正常使用期间在半导体激光器中形成的能量运走。然而，同时必须确保：半导体激光器不会由于所形成的能量和所述半导体激光器的与该能量关联的发热而由于激光器封装件内的热机械应力而与铜散热器分离，或者用于热机械应力使激光器的电子光学特性劣化。由于在铜和用于半导体激光器的激光基底材料(例如gaas或gan)之间的热膨胀系数非常不同(cu为17ppm/k相对于gaas为6ppm/k或gan为3-6ppm/k)，并且在半导体激光器和散热器被发热的情况下因此存在如下风险：即在它们之间会出现热机械应力，因此目前在大多数情况下半导体激光器不直接安装在铜散热器上，而是安装在所谓的底座上。在此，底座能够由具有铜覆层的陶瓷载体(“cosa”＝底座组件上的芯片)构成，半导体激光器例如借助焊料层焊接在所述陶瓷载体上。底座的热膨胀系数能够通过铜与陶瓷厚度的比例进行一定程度的调节，因此由此能够比铜散热器更接近半导体激光器的热膨...
【技术保护点】
1.一种激光器封装件(10)，包括：
2.根据权利要求1所述的激光器封装件，其中，所述至少一个第一区域(11a)具有与所述至少一个第二区域(11b)相比密度更高的纳米线。
3.根据权利要求1或2所述的激光器封装件，其中，所述至少一个第一区域(11a)至少部分地由所述导电材料的基本上连续的实心材料层形成。
4.根据前述权利要求中任一项所述的激光器封装件，其中，所述导电散热器(12)或所述激光器设备(18)或布置在所述散热器(12)与所述接触层(17)之间的底座(14)在相对于所述第一区域(11a)的区域中具有由导电材料制成的台阶(27
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种激光器封装件(10)，包括：
2.根据权利要求1所述的激光器封装件，其中，所述至少一个第一区域(11a)具有与所述至少一个第二区域(11b)相比密度更高的纳米线。
3.根据权利要求1或2所述的激光器封装件，其中，所述至少一个第一区域(11a)至少部分地由所述导电材料的基本上连续的实心材料层形成。
4.根据前述权利要求中任一项所述的激光器封装件，其中，所述导电散热器(12)或所述激光器设备(18)或布置在所述散热器(12)与所述接触层(17)之间的底座(14)在相对于所述第一区域(11a)的区域中具有由导电材料制成的台阶(27)。
5.根据前述权利要求中任一项所述的激光器封装件，其中，所述至少一个第一区域(11a)沿着所述激光器设备(18)的整个前侧面(20)延伸。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的激光器封装件，其中，朝所述至少一个前侧面(20)的观察方向上看，所述至少一个第一区域(11a)布置在所述至少一个激光器棱面(19)的下方并且尤其布置在两个第二区域(11b)之间。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的激光器封装件，其中，所述至少一个第一区域(11a)从所述激光器设备(18)的所述前侧面(20)延伸至与所述前侧面相对置的后侧面。
8.根据前述权利要求中任一项所述的激光器封装件，其中，所述激光器设备(18)在所述激光器设备的所述前侧面(20)上具有与至少一个第一激光器棱面相邻的第二激光器棱面(19)。
9.根据权利要求8所述的激光器封装件，其中，所述接触层(17)具有与所述第二激光器棱面(19)相邻布置的另外的第一区域(11a)。
10.根据前述权利要求中任一项所述的激光器封装件，还包括布置在所述散热器(12)与所述接触层(17)之间的底座(14)，其中，所述底座(14)包括陶瓷基部载体(15)，在所述陶瓷基部载体的上侧和下侧处分别构成导电覆层(16a，16b)。
11.根据权利要求10所述的激光器封装件，其中，所述底座(14)借助焊料层(13)固定在所述散热器(12)上。
12.根据前述权利要求中任一项所述的激光器封装件，还包括载体基板(22)，所述载体基板具有在所述载...
【专利技术属性】
技术研发人员：埃尔玛·鲍尔，托马斯·基普斯，扬·马费尔德，约尔格·埃里克·佐尔格，
申请(专利权)人：艾迈斯欧司朗国际有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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