【技术实现步骤摘要】
本公开涉及制备半导体器件的，更具体地，涉及一种反相器及其制备方法。
技术介绍
1、近年来，以ingazno为代表的非晶态氧化物半导体（aos）薄膜晶体管（tft）因其比传统的硅基薄膜晶体管具有禁带宽度宽、场效应迁移率高、加工温度低和均匀性好等优势，已被用做有源矩阵显示器、柔性传感、柔性逻辑电路等多个领域。反相器作为数字逻辑电路的基本组成元件，可用于放大器、比较器、时钟信号发生器、脉冲生成器等器件。由于传统硅基互补金属氧化物半导体（cmos）反相器制备过程中需要高温环境，无法满足在各种大面积柔性衬底上均匀加工的要求，因此，开发基于非晶态氧化物半导体的反相器对于实现柔性大规模集成电路具有重要意义。
2、传统硅基cmos反相器以pmos器件作为上拉器件、以nmos器件作为下拉器件，但对于非晶态氧化物半导体而言，由于p型非晶态氧化物半导体材料的迁移率和稳定性较差，材料稀少，采用非晶态氧化物半导体的反相器多选用n型材料，即nmos反相器。目前，nmos反相器主要包括n型增强型薄膜晶体管作为上拉器件的增强型负载反相器和n型耗尽型薄膜晶体...
【技术保护点】
1.一种反相器，包括：
2.根据权利要求1所述的反相器，其中，所述第二栅电极作为反相器的输入电极，所述一体形成的第一源电极和第二漏电极通过所述过孔与所述第一栅电极电连接作为所述反相器的输出电极，所述第一漏电极被配置为连接外部供电，所述第二源电极被配置为接地。
3.根据权利要求1所述的反相器，其中，所述栅介电层包括：
4.根据权利要求3所述的反相器，其中，所述第一栅介电层的厚度为90nm~150nm，所述第二栅介电层的厚度为30nm~60nm。
5.根据权利要求1所述的反相器，其中，所述第一栅电极和所述第一漏电极、所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种反相器，包括：
2.根据权利要求1所述的反相器，其中，所述第二栅电极作为反相器的输入电极，所述一体形成的第一源电极和第二漏电极通过所述过孔与所述第一栅电极电连接作为所述反相器的输出电极，所述第一漏电极被配置为连接外部供电，所述第二源电极被配置为接地。
3.根据权利要求1所述的反相器，其中，所述栅介电层包括：
4.根据权利要求3所述的反相器，其中，所述第一栅介电层的厚度为90nm~150nm，所述第二栅介电层的厚度为30nm~60nm。
5.根据权利要求1所述的反相器，其中，所述第一栅电极和所述第一漏电极、所述第二栅电极和所述第二漏电极在水平方向上均有间隔地错位排布，以...
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