【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及扬声器，尤其涉及一种双频平板扬声器。
技术介绍
1、平板式扬声器结合了动圈扬声器和静电扬声器两者的优点，在低频方面比静电扬声器拥有更好的表现，在高频方面也强于动圈扬声器。其核心的换能器的结构通常为在磁轭上并列配置有多个条状永磁体，相对于这些永磁体的磁极面平行配置有振膜，在振膜上与永磁体对置的位置设置有导电材料形成的音圈。音圈内部电流与永磁体生成的磁场正交，根据法拉第定律，通过在音圈中流通交流电流产生垂直于振膜的力，在该力的作用下振膜在垂直方向上产生振动，从而交流电流信号被变换为声音信号。
2、较为典型的平板换能器振膜结构包括周缘被框架支撑的振膜，振膜上的音圈与导线电连接，接受音频信号。在这种平板耳机换能器设计中，音圈对于换能器发声效果有直接的影响。
3、通过增大音圈在磁场中长度来提升扬声器的换能效率，但增加音圈导线长度，在保持音圈导电厚度的前提下，会提高音圈阻值，进而降低电流，而提高音圈厚度则会增加振动质量。
4、当音圈较重时，会使高频响应低落，而使高音域的共振周波数低落，而且当振动质量大时，由于惯性较大，使声音的瞬态特性变差，故通常在设计时平板换能器希望获得较低的音圈质量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对现有技术的缺点，提出一种双频平板扬声器，设置高中音频振膜和低音频振膜，以实现良好的发声效果。
2、为了达到上述专利技术目的，本专利技术首先提出的一种双频平板扬声器，包括框架，高中音频振膜、第一音圈、低音频振膜
3、在一优选实施例中，所述中心永磁体阵列由若干相互平行的条状永磁体等距排列构成。
4、在一优选实施例中，所述中心永磁体阵列与所述高中音频振膜和所述低音频振膜等距。
5、在一优选实施例中，所述中心永磁体阵列与所述高中音频振膜的距离大于所述中心永磁体阵列与所述低音频振膜的距离。
6、在一优选实施例中，所述第一音圈设置在所述高中音频振膜临近中心永磁体阵列的一侧。
7、在一优选实施例中，所述第一音圈和所述第二音圈由导电材料规则布线形成。
8、在一优选实施例中，所述第一音圈和所述第二音圈呈迂回曲折的s形结构。
9、在一优选实施例中，所述第一音圈围绕所述高中音频振膜的中心旋转对称，所述第二音圈围绕低音频振膜的中心旋转对称。
10、在一优选实施例中，所述第一音圈由金或铂制成。
11、在一优选实施例中，所述第二音圈由碳、铜、铝、银、铜合金和铝合金中的一种制成。
12、在一优选实施例中，所述第一音圈和所述第二音圈采用粘附、气相或液相沉积获得。
13、在一优选实施例中，还包括前端永磁体阵列，所述前端永磁体阵列平行于所述高中音频振膜设置，且位于所述高中音频振膜远离所述中心永磁体阵列的一侧，所述前端永磁体阵列由若干相互平行的条状永磁体等距排列构成。
14、在一优选实施例中，还包括后端永磁体阵列，所述后端永磁体阵列平行于所述低音频振膜设置，且位于所述低音频振膜远离所述中心永磁体阵列的一侧，所述后端永磁体阵列由若干相互平行的条状永磁体等距排列构成。
15、在一优选实施例中，还包括前端永磁体阵列和后端永磁体阵列，所述前端永磁体阵列设置于所述高中音频振膜远离所述中心永磁体阵列的一侧，所述后端永磁体阵列设置于所述低音频振膜远离所述中心永磁体阵列的一侧，所述前端永磁体阵列与所述后端永磁体阵列由若干相互平行的条状永磁体等距排列构成且对应设置，。
16、在一优选实施例中，条状永磁体采用n50及以上的钕铁硼磁铁制成。
17、与现有技术相比，本申请的双频平板扬声器通过在永磁体阵列两侧分别设置高中音频振膜和两层振膜时，不仅充分利用了磁铁两侧的磁场，还增加了线圈在磁场中的长度，可以大幅提升喇叭的效率。更能分频进行转换，从而一步改善音质。
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1.一种双频平板扬声器，其特征在于，包括框架，高中音频振膜、第一音圈、低音频振膜、第二音圈和中心永磁体阵列；所述框架为圆筒形，所述高中音频振膜和所述低音频振膜的周缘均被固定在所述框架上；所述中心永磁体阵列设置在所述高中音频振膜和所述低音频振膜之间，且平行于所述高中音频振膜和所述低音频振膜；所述第一音圈设置在所述高中音频振膜的中心位置，所述第二音圈设置在所述低音频振膜的中心位置；所述高中音频振膜通过导线接收高中音频信号，所述低音频振膜通过导线接收低音频信号。
2.根据权利要求1所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述中心永磁体阵列由若干相互平行的条状永磁体等距排列构成。
3.根据权利要求2所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述中心永磁体阵列与所述高中音频振膜和所述低音频振膜等距。
4.根据权利要求2所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述中心永磁体阵列与所述高中音频振膜的距离大于所述中心永磁体阵列与所述低音频振膜的距离。
5.根据权利要求2所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述第一音圈设置在所述高中音频振膜临近中心永磁体阵列的一侧。>
6.根据权利要求5所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述第一音圈和所述第二音圈由导电材料规则布线形成。
7.根据权利要求6所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述第一音圈和所述第二音圈呈迂回曲折的S形结构。
8.根据权利要求7所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述第一音圈围绕所述高中音频振膜的中心旋转对称，所述第二音圈围绕低音频振膜的中心旋转对称。
9.根据权利要求8所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述第一音圈由金或铂制成。
10.根据权利要求8所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述第二音圈由碳、铜、铝、银、铜合金和铝合金中的一种制成。
11.根据权利要求9或10所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述第一音圈和所述第二音圈采用粘附、气相或液相沉积获得。
12.根据权利要求2所述的双频平板扬声器，其特征在于：还包括前端永磁体阵列，所述前端永磁体阵列平行于所述高中音频振膜设置，且位于所述高中音频振膜远离所述中心永磁体阵列的一侧，所述前端永磁体阵列由若干相互平行的条状永磁体等距排列构成。
13.根据权利要求2所述的双频平板扬声器，其特征在于：还包括后端永磁体阵列，所述后端永磁体阵列平行于所述低音频振膜设置，且位于所述低音频振膜远离所述中心永磁体阵列的一侧，所述后端永磁体阵列由若干相互平行的条状永磁体等距排列构成。
14.根据权利要求2所述的双频平板扬声器，其特征在于：还包括前端永磁体阵列和后端永磁体阵列，所述前端永磁体阵列设置于所述高中音频振膜远离所述中心永磁体阵列的一侧，所述后端永磁体阵列设置于所述低音频振膜远离所述中心永磁体阵列的一侧，所述前端永磁体阵列与所述后端永磁体阵列由若干相互平行的条状永磁体等距排列构成且对应设置，。
15.根据权利要求2、12、13和14任一项所述的双频平板扬声器，其特征在于：条状永磁体采用N50及以上的钕铁硼磁铁制成。
...【技术特征摘要】
1.一种双频平板扬声器，其特征在于，包括框架，高中音频振膜、第一音圈、低音频振膜、第二音圈和中心永磁体阵列；所述框架为圆筒形，所述高中音频振膜和所述低音频振膜的周缘均被固定在所述框架上；所述中心永磁体阵列设置在所述高中音频振膜和所述低音频振膜之间，且平行于所述高中音频振膜和所述低音频振膜；所述第一音圈设置在所述高中音频振膜的中心位置，所述第二音圈设置在所述低音频振膜的中心位置；所述高中音频振膜通过导线接收高中音频信号，所述低音频振膜通过导线接收低音频信号。
2.根据权利要求1所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述中心永磁体阵列由若干相互平行的条状永磁体等距排列构成。
3.根据权利要求2所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述中心永磁体阵列与所述高中音频振膜和所述低音频振膜等距。
4.根据权利要求2所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述中心永磁体阵列与所述高中音频振膜的距离大于所述中心永磁体阵列与所述低音频振膜的距离。
5.根据权利要求2所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述第一音圈设置在所述高中音频振膜临近中心永磁体阵列的一侧。
6.根据权利要求5所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述第一音圈和所述第二音圈由导电材料规则布线形成。
7.根据权利要求6所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述第一音圈和所述第二音圈呈迂回曲折的s形结构。
8.根据权利要求7所述的双频平板扬声器，其特征在于：所述第一音圈围绕所述高中音频振膜的中心旋转对称，所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：边仿，
申请(专利权)人：昆山海菲曼科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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