一种环氧封装材料及其制备方法技术

技术编号:42679682 阅读:29 留言:0更新日期:2024-09-10 12:30
本发明专利技术具体公开一种环氧封装材料及其制备方法,环氧封装材料包括环氧树脂组合物、固化剂、无机填料,所述环氧树脂组合物为联苯介晶型环氧树脂和联苯苯酚型环氧树脂的组合物,所述无机填料为片状氮化硼、球型氧化铝及球型二氧化硅的混合物,所述片状氮化硼、球型氧化铝及球型二氧化硅的质量比为1‑4:5‑8:6‑12。本申请采用片状填料与球型填料作为无机填料,通过调控片状填料与球型填料的粒径以及用量比例构建了一种类珍珠层结构,在保持封装材料高导热的同时,提高了环氧封装材料的力学性能。联苯介晶型环氧树脂和联苯苯酚型环氧树脂相结合,组成低粘度、高导热树脂体系,使得所合成的封装材料耐热性及冲击性得到提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路,具体地说涉及一种环氧封装材料及其制备方法


技术介绍

1、随着半导体产业、微电子技术及5g技术的不断发展,由设计、生产、封装构成的集成电路作为信息技术产业的支撑受到了人们的广泛关注。当前,电子元器件朝小型化、便携化、高集成的方向发展,将导致电路的工作温度不断上升,封装体系散热多。芯片尺寸不断减小,功率密度不断增加,对封装材料的导热性提出了更高的要求。

2、封装材料种类繁多,主要分为陶瓷、金属、塑料三大类,塑料封装由于成本低、成型工艺简单及重量轻等特点,广泛应用于电子封装领域,约占封装市场的90%以上。塑封材料中97%以上均采用环氧塑封材料,经其保护的元器件具有优异的整体性、良好的尺寸稳定性及高可靠性。

3、专利cn105440588b公开了一种高导热模塑型环氧底填料及其制备方法,该专利技术采用高导热球型填料替代现有技术中的常规填料,得到导热系数为3.3w/m·k的封装材料。利用该法合成的材料虽导热系数高,但填料为未表面处理,与树脂间的粘结性弱,材料抗冲击差,封装产品易出现气孔、分层等缺陷。

4、专本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种环氧封装材料,其特征在于,包括环氧树脂组合物、固化剂、无机填料,所述环氧树脂组合物为联苯介晶型环氧树脂和联苯苯酚型环氧树脂的组合物,所述无机填料为片状氮化硼、球型氧化铝及球型二氧化硅的混合物,所述片状氮化硼、球型氧化铝及球型二氧化硅的质量比为1-4:5-8:6-12。

2.根据权利要求1所述的一种环氧封装材料,其特征在于,所述片状氮化硼、球型氧化铝及球型二氧化硅的质量比为4:6:7。

3.根据权利要求1所述的一种环氧封装材料,其特征在于,所述片状氮化硼的片径大小为40-60μm,所述球型氧化铝的粒径为10-20μm,所述球型二氧化硅的粒径为1-5μm。...

【技术特征摘要】

1.一种环氧封装材料,其特征在于,包括环氧树脂组合物、固化剂、无机填料,所述环氧树脂组合物为联苯介晶型环氧树脂和联苯苯酚型环氧树脂的组合物,所述无机填料为片状氮化硼、球型氧化铝及球型二氧化硅的混合物,所述片状氮化硼、球型氧化铝及球型二氧化硅的质量比为1-4:5-8:6-12。

2.根据权利要求1所述的一种环氧封装材料,其特征在于,所述片状氮化硼、球型氧化铝及球型二氧化硅的质量比为4:6:7。

3.根据权利要求1所述的一种环氧封装材料,其特征在于,所述片状氮化硼的片径大小为40-60μm,所述球型氧化铝的粒径为10-20μm,所述球型二氧化硅的粒径为1-5μm。

4.根据权利要求3所述的一种环氧封装材料,其特征在于,所述片状氮化硼的片径大小为60μm,所述球型氧化铝的粒径为15μm,所述球型二氧化硅的粒径为3μm。

5.根据权利要求1所述的一种环氧封装材料,其特征在于,所述联苯介晶型环氧树脂和联苯苯酚型环氧树脂的质量比为1:0.25-4。

6.根据权利要求5所述的一种环氧封...

【专利技术属性】
技术研发人员:张国梦赖宇锋孙月刘冬丽王琳
申请(专利权)人:珠海格力新材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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