【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种图像传感器及其制备方法。
技术介绍
1、互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)图像传感器具有成本低、功耗低和工艺兼容性好等优点，被广泛应用于智能手机、机器视觉和监控摄像头等领域。在cmos图像传感器中，全局快门传感器在高速场景捕捉方面具有突出优势。对于像素尺寸较小的全局快门传感器，光电感应区的正电势需要特别高，以增加光电感应区的满阱容量，但是由于电荷储存区形状和尺寸的限制，电荷储存区的电势会小于光电感应区的电势。因此，在全局曝光传输晶体管（gtx）从打开到关闭的时刻，gtx下方的电子容易回流到光电感应区，从而导致图像残影问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种图像传感器及其制备方法，能够避免电子回流至光电感应区，改善图像残影问题，提高图像传感器的质量。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的。
<...【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，多个所述第一栅极平行设置在所述光电感应区和所述电荷储存区之间的所述衬底上。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一栅极包括第一子栅极和第二子栅极，所述第一子栅极设置在所述光电感应区和所述电荷储存区之间的所述衬底上，所述第二子栅极设置在所述第一子栅极远离所述光电感应区一侧的所述衬底上。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述全局曝光传输晶体管包括第一全局曝光传输晶体管和第二全局曝光传输晶体管，所述第一全局曝光传输...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，多个所述第一栅极平行设置在所述光电感应区和所述电荷储存区之间的所述衬底上。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一栅极包括第一子栅极和第二子栅极，所述第一子栅极设置在所述光电感应区和所述电荷储存区之间的所述衬底上，所述第二子栅极设置在所述第一子栅极远离所述光电感应区一侧的所述衬底上。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述全局曝光传输晶体管包括第一全局曝光传输晶体管和第二全局曝光传输晶体管，所述第一全局曝光传输晶体管中包括第一子栅极，所述第二全局曝光传输晶体管中包括第二子栅极。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述第一全局曝光传输晶体管的关闭时间，和所述第二全局曝光传输晶体管的关闭时间之间具有时间差。
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【专利技术属性】
技术研发人员：生驹贵英，范春晖，奚鹏程，张维，李岩，夏小峰，赵庆贺，张莉玮，
申请(专利权)人：合肥海图微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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