一种气体的质量流量测量方法、装置及质量流量控制器制造方法及图纸

本申请实施例适用于制造工艺技术领域，提供了一种气体的质量流量测量方法、装置及质量流量控制器，所述方法应用于质量流量控制器，所述质量流量控制器设置有气体通道、位于所述气体通道上的串联的多组测量单元，所述方法包括：获取各组所述测量单元的质量流量测量值；依据所述质量流量测量值和预设对应关系确定目标测量单元；所述对应关系包括各所述测量单元及其对应的测量范围；将所述目标测量单元的质量流量测量值确定为质量流量计算值；其中，所述测量单元由限流器和压力传感器组成，本申请实施例能够实现在质量流量控制器的量程范围内，均采用精度较高的测量单元输出质量流量计算值。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例属于制造工艺，特别是涉及一种气体的质量流量测量方法、装置及质量流量控制器。

技术介绍

1、在半导体制造工艺中，存在多个环节涉及到质量流量变化剧烈的情况，这对质量流量控制器(mass flow controller，mfc)的性能提出了极高的要求。在多步骤化学气相沉积(multi-step cvd)工艺中，可能需要在同一反应腔中交替进行不同的化学反应，这些反应对前驱体气体的质量流量需求差异很大。例如在生长高k介电层或金属门电极时，不同化学反应步骤对气体质量流量的需求可以从几sccm(standard cubic centimeter perminute，标准立方厘米每分钟)变化到几百甚至上千sccm。在离子注入过程中及其前后的准备和处理步骤中，可能需要对硅片进行预热、退火或清洁，这些步骤对惰性气体(如氩气或氮气)的质量流量需求可能会有很大的范围。例如在预热阶段可能需要较低的质量流量，而在清洁或退火阶段可能需要显著增加气体质量流量。

2、在一些制程中，可能需要在同一制造线上切换ald(atomic layer deposition，原子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气体的质量流量测量方法，其特征在于，应用于质量流量控制器，所述质量流量控制器设置有气体通道、位于所述气体通道上的串联的多组测量单元，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述质量流量控制器设置有阀门；所述方法还包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述多组测量单元由第一测量单元和第二测量单元组成；所述第一测量单元包括第一限流器以及位于所述第一限流器两端的第一压力传感器和第二压力传感器；所述第二测量单元包括第二限流器以及位于所述第二限流器两端的第二压力传感器和第三压力传感器；

4.根据权利要求3所述的方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种气体的质量流量测量方法，其特征在于，应用于质量流量控制器，所述质量流量控制器设置有气体通道、位于所述气体通道上的串联的多组测量单元，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述质量流量控制器设置有阀门；所述方法还包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述多组测量单元由第一测量单元和第二测量单元组成；所述第一测量单元包括第一限流器以及位于所述第一限流器两端的第一压力传感器和第二压力传感器；所述第二测量单元包括第二限流器以及位于所述第二限流器两端的第二压力传感器和第三压力传感器；

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一测量单元的第一量程大于所述第二测量单元的第二量程；

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述依据所述质量流量测量值和预设对应关系确定目标测量单元，包括：

6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙彬轩，段自海，
申请(专利权)人：深圳蓝动精密有限公司，
类型：发明
国别省市：