一种晶圆兆声波清洗机构及其使用方法技术

技术编号:42664801 阅读:14 留言:0更新日期:2024-09-10 12:21
本发明专利技术公开了一种晶圆兆声波清洗机构及其使用方法,涉及清洗机构技术领域,包括清理机构,所述清理机构上部放置有放料机构,所述清理机构包括物料输送带和供气组件,所述物料输送带上部固定连接有兆声波喷淋清洗组件。本发明专利技术中,通过兆声波喷淋清洗喷头对晶圆进行清洗,通过物料输送带将清洗完成的晶圆移动至兆声波喷淋漂洗组件下方,通过兆声波喷淋漂洗喷头对晶圆进行漂洗,最后,再由物料输送带分别将晶圆移动至风刀切水组件、烘干组件和冷却组件下方,分别对晶圆进行风刀切水、烘干和冷却,通过将晶圆的清洗工序进行整合,可以提升对晶圆进行清洗加工时的效率,缩短清洗时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及清洗机构,具体为一种晶圆兆声波清洗机构及其使用方法


技术介绍

1、半导体晶圆清洗设备主要应用于半导体生产,主要负责去除晶圆表面的残留物和杂质,确保后续工艺的质量,随着半导体行业的快速发展,尤其是芯片制造技术的不断进步,对晶圆清洗机的市场需求持续增长,清洗工序数量的大幅提高,以及芯片结构的3d化趋势,都增加了对高精度清洗设备的需求。

2、在半导体器件的生产过程中,清洗步骤约占所有芯片制造工序步骤的30%以上,是所有芯片制造工艺步骤中占比最大的工序,但现有技术中的清洗设备对清洗工序的整合性较差,导致晶圆在清洗过程中需要对其不断的移动,造成清洗流程时间被延长,造成晶圆的清洗效率降低,同时现有的清洗设备多采用超声波清洗,超声波在清洗过程中容易产生驻波,导致晶圆表面出现损伤。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆兆声波清洗机构及其使用方法,以解决上述
技术介绍
提出的清洗设备对清洗工序的整合性较差,导致晶圆在清洗过程中需要对其不断的移动,造成清洗流程时间被延长,造成晶圆的清洗效率降本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆兆声波清洗机构,包括壳体(1),包括清理机构(1),所述清理机构(1)上部放置有放料机构(2),其特征在于:所述清理机构(1)包括物料输送带(11)和供气组件(17),所述物料输送带(11)上部固定连接有兆声波喷淋清洗组件(12),所述兆声波喷淋清洗组件(12)一侧设置有兆声波喷淋漂洗组件(13),所述兆声波喷淋漂洗组件(13)与物料输送带(11)固定连接,所述兆声波喷淋漂洗组件(13)一侧设置有风刀切水组件(14),所述风刀切水组件(14)与物料输送带(11)固定连接,所述风刀切水组件(14)一侧设置有烘干组件(15),所述烘干组件(15)一侧设置有冷却组件(16),所述冷...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆兆声波清洗机构,包括壳体(1),包括清理机构(1),所述清理机构(1)上部放置有放料机构(2),其特征在于:所述清理机构(1)包括物料输送带(11)和供气组件(17),所述物料输送带(11)上部固定连接有兆声波喷淋清洗组件(12),所述兆声波喷淋清洗组件(12)一侧设置有兆声波喷淋漂洗组件(13),所述兆声波喷淋漂洗组件(13)与物料输送带(11)固定连接,所述兆声波喷淋漂洗组件(13)一侧设置有风刀切水组件(14),所述风刀切水组件(14)与物料输送带(11)固定连接,所述风刀切水组件(14)一侧设置有烘干组件(15),所述烘干组件(15)一侧设置有冷却组件(16),所述冷却组件(16)与物料输送带(11)固定连接,所述供气组件(17)分别与风刀切水组件(14)、烘干组件(15)和冷却组件(16)固定连接;

2.根据权利要求1所述的一种晶圆兆声波清洗机构,其特征在于:所述清理机构(1)侧面设置有上料机械臂(3),所述上料机械臂(3)用于将待清洗的晶圆取料放置在放料机构(2)上部的指定位置。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆兆声波清洗机构,其特征在于:所述供气组件(17)包括鼓风机(171),所述鼓风机(171)与物料输送带(11)侧面固定连接,且鼓风机(171)表面固定连接有通风主管(172),所述通风主管(172)表面安装有一号阀门(173),所述通风主管(172)侧面固定连接有一号连接管(174),所述一号连接管(174)一端固定连接有四号连接管(177),所述四号连接管(177)表面安装有两个二号阀门(178),两个所述二号阀门(178)位于一号连接管(174)与四号连接管(177)连接端的两侧,所述四号连接管(177)一端固定连接有二号连接管(175),且四号连接管(177)另一端固定连接有三号连接管(176),所述二号连接管(175)底部安装有多个一号连接支管,所述三号连接管(176)底部安装有多个二号连接支管。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆兆声波清洗机构,其特征在于:所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:董兆鹏
申请(专利权)人:长喆电苏州半导体技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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