一种E、S波段扩展掺铋光纤及其制备方法技术

本发明专利技术属于光纤技术领域，公开了一种E、S波段扩展掺铋光纤及其制备方法。本发明专利技术提供的光纤包括纤芯和包层，纤芯由掺有铋元素和共掺元素的二氧化硅材料构成，共掺元素为磷、锗中的一种或两种元素；光纤在1360～1530nm波长范围内有荧光发光放大宽带。本发明专利技术结合改进化学气相沉积法MCVD和液相掺杂法进行光纤制备。本发明专利技术能够实现E+S波段的扩展放大，本发明专利技术制备得到高质量的掺铋光纤在E+S波段通信传输光放大领域有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光纤，更具体地，涉及一种e、s波段扩展掺铋光纤及其制备方法。

技术介绍

1、传统的掺铒光纤放大器(erbium doped fiber amplifier，edfa)主要工作在c+l(c波段：常规波段，波长范围1530～1565nm；l波段：长波长波段，波长范围1565～1625nm)频段，无法满足日益增长的光纤容量需求。因此，研究开发c+l频段以外的光纤放大器刻不容缓。目前，已经开发了一些掺稀土光纤放大器，如掺镨、掺钕、掺铥光纤放大器，但这些光纤放大器存在增益带宽较窄的问题。此外，拉曼光纤放大器是目前唯一能够实现1270～1660nm超宽带全范围放大的光纤放大器，但其存在的缺点包括结构复杂、泵浦功率高、需要多个泵浦源同时工作、成本高等。

2、铋(bi)掺杂二氧化硅(sio2)基光纤由于其宽带近红外(near infrared，nir)发光特性跨越o波段(原始波段，波长范围1260-1360nm)、e波段(扩展波长波段，波长范围1360～1460nm)直至u波段(超长波段，波长范围1625～1675nm)，使得铋能够作为一种有前途本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种E、S波段扩展掺铋光纤，其特征在于，包括：纤芯和包层；所述纤芯由掺有铋元素和共掺元素的二氧化硅材料构成，所述共掺元素为磷、锗中的一种或两种元素；所述光纤在1360～1530nm波长范围内有荧光发光放大宽带。

2.根据权利要求1所述的E、S波段扩展掺铋光纤，其特征在于，Bi2O3的浓度范围为100～2000ppm；所述纤芯掺有磷元素时，P2O5的浓度范围为100～15000ppm；所述纤芯掺有锗元素时，GeO2的浓度范围为500～10000ppm。

3.根据权利要求1所述的E、S波段扩展掺铋光纤，其特征在于，所述纤芯的直径为4～10μm，所述包层的直径为12...

【技术特征摘要】

1.一种e、s波段扩展掺铋光纤，其特征在于，包括：纤芯和包层；所述纤芯由掺有铋元素和共掺元素的二氧化硅材料构成，所述共掺元素为磷、锗中的一种或两种元素；所述光纤在1360～1530nm波长范围内有荧光发光放大宽带。

2.根据权利要求1所述的e、s波段扩展掺铋光纤，其特征在于，bi2o3的浓度范围为100～2000ppm；所述纤芯掺有磷元素时，p2o5的浓度范围为100～15000ppm；所述纤芯掺有锗元素时，geo2的浓度范围为500～10000ppm。

3.根据权利要求1所述的e、s波段扩展掺铋光纤，其特征在于，所述纤芯的直径为4～10μm，所述包层的直径为120±5μm。

4.根据权利要求1所述的e、s波段扩展掺铋光纤，其特征在于，所述包层由含氟的二氧化硅材料构成。

5.根据权利要求1所述的e、s波段扩展掺铋光纤，其特征在于，所述光纤形成铋硅活性中心bac-si和铋磷活性中心bac-p，或者，所述光纤形成铋硅活性中心bac-si和铋锗活性中心bac-ge，或者，所述光纤形成铋硅活性中心bac-si、铋磷活性中心bac-p以及铋锗活性中心bac-ge；铋硅活性中心bac-si的发射宽峰为1430nm±10nm，铋磷活性中心bac-p的发射宽峰为1310nm±100nm，铋锗活性中心bac-ge的发射宽峰为1600nm±200nm。

6.一种e、s波段扩展掺铋光纤的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄欣，沈磊，丁园鹏，万浩华，姚钊，张磊，罗杰，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：