一种基于LFSR设计的ONFI TESTCHIP内建自测试方法及装置制造方法及图纸

技术编号:42663248 阅读:26 留言:0更新日期:2024-09-10 12:20
本发明专利技术公开了一种基于LFSR设计的ONFI TESTCHIP内建自测试方法及装置。结合LFSR电路与ECC校验方法,基于MUX选择多种模式测试数据(顺序、固定、随机)。LFSR生成随机数测试序列,写阶段,LFSR生成数据并传输至CONTROLLER;读阶段,LFSR生成比较序列与读回数据对比,在顺序数和固定数的校验模式中,检测SRAMs到NAND FLASH的读写数据通路,若数据报错则记录错误位置。本发明专利技术提供了多种模式的测试序列对多个测试支路的随机组合进行同步测试,实现分段式路径检测以及多路径检测,可节约测试成本与时间、实现出错位置的精准定位、提高系统的可测性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储读写测试领域,更具体的,涉及一种基于lfsr设计的onfitestchip内建自测试方法及装置。


技术介绍

1、随着各种存储技术的发展,系统集成度提高以及面积增大,其可靠性面临越来越大的挑战。由于材料杂质,制造工艺的复杂度以及芯片运行过程中的温度电压变化等因素对可靠性的影响越来越明显,测试是保证芯片产品质量和可靠性的重要手段。目前,系统测试已经趋于专业化,大多数集成ip技术中,主要内自建电路测试方案。但随着设计、集成度和工艺的高速发展,芯片测试面临着资源限制、成本攀升、功耗增加和新故障类型出现等巨大的挑战。例如,随着芯片的集成度越来越高,尽管芯片集成核的数量增加不断增加,但其i/o引脚数量鲜有增加,导致测试时,访问内部电路极其困难。此外,测试功耗会对芯片性能及可靠性产生不良影响,过高的功耗会影响芯片测试质量及效率。因此,随着多复杂ip核集成数量的增加,需要使用一种可节约测试成本、缩短测试时间、提高系统的可测性和可靠性电路对集成ip进行芯片测试,从而来弥补上述因素造成偏差。


技术实现思路>

1、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于LFSR设计的ONFI TESTCHIP内建自测试方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种基于LFSR设计的ONFI TESTCHIP内建自测试方法,其特征在于,所述S2中,所述随机数对应DATA_IN值由外部输入,并且输入数据的模板pattern由用户进行设定。

3.根据权利要求1所述的一种基于LFSR设计的ONFI TESTCHIP内建自测试方法,其特征在于,在S3中,所述SRAMs-DMA_INTF接口中,该DMA接口用于在SRAM和CONTROLLER之前提供高速数据传输。

4.根据权利要求1所述的一种基于LFSR设计...

【技术特征摘要】

1.一种基于lfsr设计的onfi testchip内建自测试方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种基于lfsr设计的onfi testchip内建自测试方法,其特征在于,所述s2中,所述随机数对应data_in值由外部输入,并且输入数据的模板pattern由用户进行设定。

3.根据权利要求1所述的一种基于lfsr设计的onfi testchip内建自测试方法,其特征在于,在s3中,所述srams-dma_intf接口中,该dma接口用于在sram和controller之前提供高速数据传输。

4.根据权利要求1所述的一种基于lfsr设计的onfi testchip内建自测试方法,其特征在于,在s4中,对于输入seed,对应所要测验的sram-dma_intf接口-控制器controller通路预设选择不同的种子值seed。

5.根据权利要求1所述的一种基于lfsr设计的onfi testchip内建自测试方法,其特征在于,在s6中,所述通过cmp逻辑对lfsr_cmp_data和从nand flash侧读回的rdbc_data进行对比,如果数据不一致,则进行报错中,若对比过程数据一致或者无需比较时,则选用dma返回的地址dma_addr,此时数据写入指定的srams。

6.一种基于lfsr设计的onfi testchip内建自测试装置,其特征在于,该装置包括:mem...

【专利技术属性】
技术研发人员:邹诗赞张冬青程庆凯冒李宸
申请(专利权)人:博越微电子江苏有限公司
类型:发明
国别省市:

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