一种半导体晶圆磨削寻边定位系统及方法技术方案

本专利申请公开了半导体制造领域的一种半导体晶圆磨削寻边定位系统及方法，首先提供能够完成边缘采集的定位系统，包括旋转台，旋转台用于固定晶圆和带动晶圆旋转；边缘轮廓检测传感器，用于采集晶圆边缘轮廓数据；移动机构，用于移动晶圆；控制器，用于接收边缘轮廓检测传感器的数据，还提供寻边定位方法，通过边缘轮廓检测传感器检测边缘数据是否超过检测公差数据，对于超过了公差数据的晶圆进行位置调整，调整的偏差量只需要满足晶圆边缘处于公差范围内，本方案在寻边定位过程中，不需要采集缺口位置的数据，就能够完成晶圆的偏差调整。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造，具体涉及一种对半导体材料进行倒角加工的系统及方法。

技术介绍

1、在晶圆切片环节中，晶圆边缘不可避免会存在毛刺，导致晶圆外轮廓在细微层面表现出不规则性，晶圆的主要成分为单晶硅，属于易碎物品，当对晶圆边缘进行打磨时，因为晶圆外轮廓的不规则性，如果打磨的刀具与晶圆外轮廓之间接触力度的话，边缘轮廓不规则的情况，在边缘凸出部分接触力量过大，使得晶圆在磨削过程开裂，另外就是晶圆外轮廓凸出部分的角度随机变化，在进刀时，如果没有选择合适角度开始打磨，晶圆也会因为磨削应力开裂。因此需要在打磨晶圆之前，准确掌握晶圆边缘数据，从而给到在磨削工序中，确保磨削力量和进刀角度的准确性。

2、在对晶圆进行边缘轮廓数据扫描时，是将晶圆放在转盘上，然后通过传感器对晶圆边缘数据进行采集，因为晶圆放在转盘上，位置存在偏差，当偏差超过传感器检测区域后，会导致晶圆部分边缘数据无法识别，因此需要对晶圆偏差进行调整。

3、如公开号为cn116960039a的晶圆预对准控制方法，该方法则需要先找出缺口的位置，再通过缺口位置计算偏心参数，最后对晶圆偏差进本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体晶圆磨削寻边定位系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆磨削寻边定位系统，其特征在于：所述移动机构包括移动精度为微米级的移动架，所述移动架上通过旋转电机安装有负压吸盘，所述负压吸盘结构为一个Y形盘，在Y形盘的盘面上设置有多个负压头。

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆磨削寻边定位系统，其特征在于：所述边缘轮廓检测传感器选用CCD线性阵列图像传感器，且测量像素尺寸精度小于10μm。

4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆磨削寻边定位系统，其特征在于：所述旋转台下方安装有表面缺陷检测传感器，表面缺陷检测传感器在竖直...

【技术特征摘要】

1.一种半导体晶圆磨削寻边定位系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆磨削寻边定位系统，其特征在于：所述移动机构包括移动精度为微米级的移动架，所述移动架上通过旋转电机安装有负压吸盘，所述负压吸盘结构为一个y形盘，在y形盘的盘面上设置有多个负压头。

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆磨削寻边定位系统，其特征在于：所述边缘轮廓检测传感器选用ccd线性阵列图像传感器，且测量像素尺寸精度小于10μm。

4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆磨削寻边定位系统，其特征在于：所述旋转台下方安装有表面缺陷检测传感器，表面缺陷检测传感器在竖直方向避开旋转台投影阻挡，表面缺陷检测传感器用于检测晶圆明显瑕疵。

5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋勇，符迎松，孙惠娟，王芳丽，程功，公冶凡娇，叶爽，牛睿，
申请(专利权)人：重庆工业职业技术学院，
类型：发明
国别省市：