一种多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法技术

本发明专利技术涉及陶瓷连接技术领域，具体而言，涉及一种多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法；该方法包括：步骤S1、将多孔氮化硅陶瓷在酚醛树脂溶液中真空浸渗后，进行固化处理，得到预处理多孔氮化硅陶瓷；步骤S2、将所述预处理多孔氮化硅陶在第一预设真空度下进行加热处理，得到渗碳多孔氮化硅陶瓷；步骤S3、在两块所述渗碳多孔氮化硅陶瓷之间设置SiTi22合金钎料，以形成钎料层，得到组合待焊接件；步骤S4、将所述组合待焊接件在第二预设真空度下进行烧结处理，冷却处理后，得到多孔氮化硅基陶瓷接头。采用本发明专利技术方法制得的多孔氮化硅基陶瓷接头具有更高的使用温度和强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷连接，具体而言，涉及一种多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法。

技术介绍

1、多孔氮化硅基复合陶瓷具有良好可加工性能、高强度、高温抗氧化等优点，表现出优良的化学稳定性和高的抗热震性能，而且在宽温域范围内具有较低且稳定的介电常数和介电损耗，因而在航空、航天透波构件上具有广阔的应用前景。但是，陶瓷材料的本征脆性及其近净尺寸成型方法的局限性，导致难以加工和制备大尺寸、形状复杂的构件，进而限制了其在多场合的广泛应用。一般可通过连接的方法，将陶瓷材料与自身或梯度结构进行装配使用，以实现特定的结构或功能需求。如何实现陶瓷材料的可靠连接，特别是满足高温应用背景要求的可靠连接，已成为当前陶瓷连接领域亟待解决的关键问题。

2、近年来，有关多孔氮化硅基陶瓷钎焊连接的研究正逐渐增多，其中，采用ag-cu-ti及其复合钎料钎焊多孔si3n4陶瓷和金属的研究工作已较为系统，这类钎料的连接温度一般在860-1100℃，能够获得力学性能良好的接头，但是焊接接头的使用温度一般较低(500℃以下)，无法满足多孔氮化硅基陶瓷构件的高温应用需求。为了提高焊接接头的使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述真空浸渗的时间为30-60min。

3.根据权利要求1所述的多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述固化处理的温度为120-170℃，时间为1-24h。

4.根据权利要求1所述的多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述第一预设真空度为(1.5-7.0)×10-2Pa，所述加热处理的温度为900-1200℃，时间为10-30min。</p>

5.根据...

【技术特征摘要】

1.一种多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述真空浸渗的时间为30-60min。

3.根据权利要求1所述的多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述固化处理的温度为120-170℃，时间为1-24h。

4.根据权利要求1所述的多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法，其特征在于，所述步骤s2中，所述第一预设真空度为(1.5-7.0)×10-2pa，所述加热处理的温度为900-1200℃，时间为10-30min。

5.根据权利要求4所述的多孔氮化硅基陶瓷接头高温连接方法，其特征在于，所述步骤s2中，所述将所述预处理多孔氮化硅陶在第一预设真空度下进行加热处理，包括：在(1.5-7.0)×10-2pa的真空度下，将所述预处理多孔氮化硅陶以升温速率15-30℃/min加热到900-1200℃，保温10-30min。

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【专利技术属性】
技术研发人员：庄艳丽，程浩，董丽敏，李丹，王晓，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：