【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路封装，具体涉及一种玻璃基板刻蚀方法。
技术介绍
1、目前，通常采用玻璃板作为集成电路封装用基板。常规的做法是：先对玻璃板的待开孔区域进行激光改性，然后采用刻蚀液对玻璃板进行刻蚀处理，从而在激光改性区域处形成通孔。再于该通孔处及玻璃板表面制作线路，即可用于贴装芯片，对芯片进行塑封处理后，即可获得集成电路封装结构。
2、现有技术中，采用刻蚀液对玻璃板进行刻蚀时，一般会存在以下两个问题：
3、(1)、由于刻蚀液通常处于静态，与玻璃板接触并对玻璃板的改性区域刻蚀后的刻蚀液的浓度往往会低于新鲜的刻蚀液，从而导致刻蚀效率较低；
4、(2)、玻璃板表面尤其是玻璃板的激光改性区域被刻蚀液刻蚀之后，刻蚀后的玻璃板(通孔)表面依然会存在部分玻璃杂质，从而存在刻蚀表面不光滑的现象。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种玻璃基板刻蚀方法，可以使玻璃基板的激光改性区域形成表面光滑的通孔，并能降低通孔锥度、提高刻蚀效率。
2、为达此目的，...
【技术保护点】
1.一种玻璃基板刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的玻璃基板刻蚀方法，其特征在于，所述温差为50-65℃。
3.根据权利要求1所述的玻璃基板刻蚀方法，其特征在于，所述第一区域通过连接管与所述第二区域连通，对所述第一区域内的刻蚀液进行加热处理，使所述第一区域内的刻蚀液的温度为60-70℃；同时对所述第二区域内的刻蚀液进行冷却处理，使所述第二区域内的刻蚀液的温度为5-10℃。
4.根据权利要求3所述的玻璃基板刻蚀方法，其特征在于，当所述玻璃基板的激光改性区域导通之后，再同时对所述第一区域内的刻蚀液进行加热处理以...
【技术特征摘要】
1.一种玻璃基板刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的玻璃基板刻蚀方法，其特征在于，所述温差为50-65℃。
3.根据权利要求1所述的玻璃基板刻蚀方法，其特征在于，所述第一区域通过连接管与所述第二区域连通，对所述第一区域内的刻蚀液进行加热处理，使所述第一区域内的刻蚀液的温度为60-70℃；同时对所述第二区域内的刻蚀液进行冷却处理，使所述第二区域内的刻蚀液的温度为5-10℃。
4.根据权利要求3所述的玻璃基板刻蚀方法，其特征在于，当所述玻璃基板的激光改性区域导通之后，再同时对所述第一区域内的刻蚀液进行加热处理以及对所述第二区域内的刻蚀液进行冷却处理，以通过温差对流进行刻蚀。
5.根据权利要求4所述的玻璃基板刻蚀方法，其特征在于，总的刻蚀时间为10min-8h。
6.根据权利要求3所...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐炬财，华显刚，杨斌，黎俊言，
申请(专利权)人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司，
类型：发明
国别省市：
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