一种P型氧化物薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种P型氧化物薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：由下至上依次布设的衬底、底栅电极、栅极绝缘层、半导体沟道层、源漏电极和钝化层；其中，所述半导体沟道层为氟掺杂氧化物薄膜，所述氟掺杂氧化物薄膜为通过射频磁控溅射法生长氧化物薄膜后，对氧化物薄膜采用含氟等离子体进行氟化处理得到。利用六氟化硫与氩气或四氟化碳与氩气对氧化物薄膜进行等离子氟化处理，减少工艺步骤，获得具有高稳定性、高空穴迁移率和高开关电流比的高性能薄膜晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别是涉及一种p型氧化物薄膜晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。

2、薄膜晶体管是显示屏中像素电路的关键器件，以氧化物半导体作为沟道材料的晶体管器件由于具有极低的关态电流、陡峭的亚阈值摆幅和良好的场效应迁移率，在新型显示、柔性电子器件、低功耗存算一体电路和单片三维集成中具有较大的应用潜力。此外，氧化物半导体还具有较低的制备温度和良好的薄膜均一性等优势。

3、现有的氧化物薄膜晶体管的研究大多是在n沟道器件上进行的，如非晶铟镓锌氧(a-igzo)。这阻碍了由n型和p型氧化物薄膜晶体管组成的互补逻辑电路的实现。在报道的有限p型氧化物材料中，氧化亚锡(sno)具有空穴迁移率高、可低温大规模制备等优点。然而，相较于硅基薄膜晶体管，氧化物薄膜晶体管在实际应用中的稳定性问题一直是制约其发展的重要因素之一。因此，研究sno薄膜晶体管稳定性具有重要意义。

4、sno薄膜晶体管的偏压应力不稳定性主要表现为阈值电压漂移现象，最终会导致其显示效本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种P型氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：由下至上依次布设的衬底、底栅电极、栅极绝缘层、半导体沟道层、源漏电极和钝化层；

2.如权利要求1所述的一种P型氧化物薄膜晶体管，其特征在于，生长氧化物薄膜后进行热退火处理，控制退火时的氮气和氧气的比例为8:2，退火时间为1～2小时，退火温度为200～250℃。

3.如权利要求1所述的一种P型氧化物薄膜晶体管，其特征在于，进行氟化处理时，所述含氟等离子体采用六氟化硫和氩气，或四氟甲烷和氩气，气体流量比为1:6～5:6，功率设置为30～100W，反应温度为25～40℃，含氟等离子体处理时间设置为0～5min。

...

【技术特征摘要】

1.一种p型氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：由下至上依次布设的衬底、底栅电极、栅极绝缘层、半导体沟道层、源漏电极和钝化层；

2.如权利要求1所述的一种p型氧化物薄膜晶体管，其特征在于，生长氧化物薄膜后进行热退火处理，控制退火时的氮气和氧气的比例为8:2，退火时间为1～2小时，退火温度为200～250℃。

3.如权利要求1所述的一种p型氧化物薄膜晶体管，其特征在于，进行氟化处理时，所述含氟等离子体采用六氟化硫和氩气，或四氟甲烷和氩气，气体流量比为1:6～5:6，功率设置为30～100w，反应温度为25～40℃，含氟等离子体处理时间设置为0～5min。

4.如权利要求1所述的一种p型氧化物薄膜晶体管，其特征在于，

5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛倩，戴鹏，宋爱民，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载 我是这个专利的主人