【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及igbt模块测试设备，具体为一种耐高压功率器件igbt模块测试设备。
技术介绍
1、igbt是绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点，gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2、igbt模块是由绝缘栅双极型晶体管芯片与续流二极管芯片通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的igbt模块直接应用于变频器、ups不间断电源等设备上。
3、igbt模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的igbt也指igbt模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；igbt是能源变换与传输的核心器...
【技术保护点】
1.一种耐高压功率器件IGBT模块测试设备，包括测试机壳(1)，其特征在于：所述测试机壳(1)的一端固定安装有操作机构(7)，所述测试机壳(1)内壁的顶端安装有测试机构(6)，所述测试机壳(1)内壁的中部固定安装有载物板(9)，所述载物板(9)的中部开设有活动口(10)，所述测试机壳(1)上安装有位于载物板(9)底端的固定机构(3)，所述测试机壳(1)的内部固定安装有测试电路板(8)，所述测试机构(6)包括转盘(62)和第一组装座(63)，所述转盘(62)底端的一侧与第一组装座(63)的顶端固定连接，所述第一组装座(63)的内部转动连接有第一角度板(64)，所述第一角...
【技术特征摘要】
1.一种耐高压功率器件igbt模块测试设备，包括测试机壳(1)，其特征在于：所述测试机壳(1)的一端固定安装有操作机构(7)，所述测试机壳(1)内壁的顶端安装有测试机构(6)，所述测试机壳(1)内壁的中部固定安装有载物板(9)，所述载物板(9)的中部开设有活动口(10)，所述测试机壳(1)上安装有位于载物板(9)底端的固定机构(3)，所述测试机壳(1)的内部固定安装有测试电路板(8)，所述测试机构(6)包括转盘(62)和第一组装座(63)，所述转盘(62)底端的一侧与第一组装座(63)的顶端固定连接，所述第一组装座(63)的内部转动连接有第一角度板(64)，所述第一角度板(64)底端的一侧固定安装有第二组装座(66)，所述第二组装座(66)的内部转动连接有第二角度板(67)，所述第二角度板(67)的底端安装有测试头(69)。
2.根据权利要求1所述的一种耐高压功率器件igbt模块测试设备，其特征在于：所述固定机构(3)包括丝杆(33)和两个高度板(34)，所述丝杆(33)的表面螺纹连接有两个与活动口(10)滑动连接的活动块(32)，两个所述活动块(32)的顶端分别与两个高度板(34)的底端固定连接，两个所述高度板(34)相对的一侧均开设有高度槽(35)，两个所述高度槽(35)的内部均滑动连接有高度块(38)，两个所述高度块(38)相对的一侧均固定安装有压板(37)。
3.根据权利要求2所述的一种耐高压功率器件igbt模块测试设备，其特征在于：两个所述高度板(34)的顶端均固定安装有升降气缸(36)，两个所述升降气缸(36)的活动端分别与两个高度块(38)正对的一侧固定连接。
4.根据权利要求2所述的一种耐高压功率器件igbt模块测试设备，其特征在于：所述测试机壳(1)上固定安装有驱动丝杆(33)转动的伺服电机(31)。
5.根据权利要求1所述的一种耐高压功率器件igbt模块测试设备，其特征在于：所述操作机构(7)包括安装板(71)和操作屏(72)，所述安装板(71)一侧的顶端与操作屏(72)的一侧固定连接，所述安装板(71)一侧的中部固定安装有操作台(73)，所述安装板(71)上转动连接有位于操作台(73)底端的第一支撑架(77)，所述第一支撑架(77)远离安装板(71)的一端转动连接有第二支撑架(76)，所述操作...
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