用于制造光电器件的方法以及光电器件技术

说明一种用于制造光电器件的方法，具有步骤：‑将半导体芯片(1)和在所述半导体芯片(1)的上侧(1a)处的盖体(2)引入到模具(3)中，‑用模制材料(4)包封模具(3)中的半导体芯片(1)和盖体(2)，其中所述半导体芯片(1)的侧面(1b)和所述盖体(2)的侧面(2b)以及所述盖体(2)的背离所述半导体芯片(1)的顶面(2a)用模制材料(4)覆盖，‑将所述模制材料(4)固化或硬化成模制体(40)并且移除模具(3)，‑通过喷射工艺使模制体(40)减薄，其中将模制体(40)完全从盖体(2)的顶面(2a)移除，其中在减薄之后，所述模制体(40)与顶面(2a)齐平或突出所述顶面(2a)之外。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

说明一种用于制造光电器件的方法以及光电器件。

技术介绍

1、该专利申请要求德国专利申请102022101579.3的优先权，所述德国专利申请的公开内容通过引用被并入本文。

技术实现思路

1、要解决的任务在于说明一种用于制造光电器件的方法，其中光电器件的部件在制造光电器件时特别小地承受机械载荷。另一要解决的任务在于说明一种具有经改善的光学特性的光电器件。

2、根据该方法的至少一种实施方式，该方法包括一个方法步骤，其中将半导体芯片连同在半导体芯片的上侧处的盖体引入到模具中。

3、半导体芯片例如是光电半导体芯片。尤其是，半导体芯片是被设立用于在运行中发射电磁辐射、尤其是光的半导体芯片。例如，半导体芯片是发光二极管芯片。

4、盖体安置在半导体芯片的上侧处并且例如紧固在所述半导体芯片上。例如，盖体可以通过直接接合或增附剂、诸如粘合剂紧固在半导体芯片上。

5、盖体对于在运行中在半导体芯片中产生的电磁辐射可以是至少部分可透过的。例如，盖体是以下元件之一或包括以下元件之一：光学本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制造光电器件的方法，所述方法具有步骤：

2.根据前一权利要求所述的方法，其中所述喷射工艺包括以下方法中的至少一种：喷砂、湿喷射处理、喷丸处理、CO2喷射、激光凿洞、激光去毛边。

3.根据前一权利要求所述的方法，其中所述突出部(32)在其朝向顶面(2a)的侧处在横向方向(L)上具有延伸，所述延伸对应于所述半导体芯片(1)和/或所述盖体(2)的边长(l)。

4.根据前述两项权利要求之一所述的方法，其中所述模制体(40)在减薄之后突出所述顶面(2a)之外，由此部分地获得空腔(5)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中两个或更...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于制造光电器件的方法，所述方法具有步骤：

2.根据前一权利要求所述的方法，其中所述喷射工艺包括以下方法中的至少一种：喷砂、湿喷射处理、喷丸处理、co2喷射、激光凿洞、激光去毛边。

3.根据前一权利要求所述的方法，其中所述突出部(32)在其朝向顶面(2a)的侧处在横向方向(l)上具有延伸，所述延伸对应于所述半导体芯片(1)和/或所述盖体(2)的边长(l)。

4.根据前述两项权利要求之一所述的方法，其中所述模制体(40)在减薄之后突出所述顶面(2a)之外，由此部分地获得空腔(5)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中两个或更多个分别具有在每个半导体芯片(1)的上侧(1a)处的盖体(2)的半导体芯片(1)被引入到模具(3)中。

6.根据前述四项权利要求中任一项所述的方法，其中每个盖体(2)分配有突出部(32)...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·克莱因，T·格布尔，M·贝茨，
申请(专利权)人：艾迈斯欧司朗国际有限责任公司，
类型：发明
国别省市：