System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种光伏电池中导电电极制备方法及光伏电池结构技术_技高网

一种光伏电池中导电电极制备方法及光伏电池结构技术

技术编号:42650655 阅读:35 留言:0更新日期:2024-09-06 01:43
本发明专利技术公开了一种光伏电池中导电电极制备方法及光伏电池结构,应用于光伏发电领域,包括:提供预制硅片,并利用激光在预制硅片的电极接触区进行照射处理,进行激光推结的同时形成图形化表面结构;图形化表面结构为阻挡或阻碍电介层制备的表面结构;沉积制备电介层,使电介层在电极接触区未完全覆盖图形化表面结构的全部表面,或在电极接触区的覆盖厚度小于或等于预设值,得到待制备电极接触区;预设值为电流能够击穿电介层的最大厚度;电镀制备导电电极。本发明专利技术通过在制备电介层前进行激光照射处理,避免制备电介层后进行激光开槽处理,能够避免激光照射电介层,避免电介层的导电性等性能产生影响,同时无需考虑激光开槽的对位问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏发电领域,特别涉及一种光伏电池中导电电极制备方法及光伏电池结构


技术介绍

1、常规光伏电池中制备导电电极中,以制备金属电极为例,一般流程为在硅片制备的电介层表面依次进行激光开槽、预处理、电镀镍、退火烧结、电镀铜。在实施过程中,激光开槽会导致电介层中照射区域出现局部升温,导致制备的电介层变性,进而降低光伏电池的产品良率。

2、因此,如何提供一种能够改善光伏电池中产品良率的导电电极制备方法,是本领域技术人员亟需解决的技术问题。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种光伏电池中导电电极制备方法及光伏电池结构,解决了现有技术中激光开槽导致电介层物理及化学性质改变,进而降低光伏电池产品良率的问题。

2、为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种光伏电池中导电电极制备方法,包括:

3、提供预制硅片,并利用激光在所述预制硅片的电极接触区进行照射处理,进行激光推结的同时形成图形化表面结构;所述图形化表面结构为阻挡或阻碍电介层制备的表面结构;

4、在所述预制硅片上形成有所述图形化表面结构的表面中,暴露出的表面处沉积制备电介层,使所述电介层在所述电极接触区未完全覆盖所述图形化表面结构的全部表面,或在所述电极接触区的覆盖厚度小于或等于预设值,得到待制备电极接触区;所述预设值为电流能够击穿电介层的最大厚度;

5、在所述待制备电极接触区电镀制备导电电极。

6、可选的,所述图形化表面结构为表面存在遮挡区域或存在长狭缝区域的表面结构。

7、可选的,所述表面存在遮挡区域的图形化表面结构,为所述遮挡区域的表面积与电极接触区总表面积的比值大于或等于百分之十五的表面结构。

8、可选的,所述表面存在遮挡区域的图形化表面结构,为多孔状图形化表面结构。

9、可选的,所述激光为波长大于266纳米的激光。

10、可选的,所述激光光斑尺径小于20微米。

11、可选的,在形成所述图形化表面结构之后,在所述预制硅片上形成有所述图形化表面结构的表面中,暴露出的表面处沉积制备电介层之前,还包括:

12、对形成所述图形化表面结构的硅片进行加热处理,以修复硅片表面因激光照射形成的晶格损伤。

13、可选的,所述提供预制硅片,包括:

14、提供硅片基底,至少在所述硅片基底的一侧表面进行制绒处理形成绒面,得到所述预制硅片;

15、利用激光在所述预制硅片的电极接触区进行照射处理,进行激光推结的同时形成图形化表面结构,包括:

16、利用激光在所述预制硅片中,形成所述绒面的表面中的电极接触区进行照射处理,进行激光推结的同时形成所述图形化表面结构。

17、本专利技术还提供了一种光伏电池结构,包括:

18、预制硅片、电介层、导电电极;

19、所述预制硅片的电极接触区在制备所述电介层前,进行激光推结的同时形成有图形化表面结构;所述图形化表面结构为阻挡或阻碍所述电介层制备的表面结构;

20、所述电介层沉积制备在所述预制硅片上,形成有所述图形化表面结构的表面中,暴露出的表面处,且所述电介层暴露出部分所述电极接触区,或所述电介层在所述电极接触区的覆盖厚度小于或等于预设值;所述预设值为电流能够击穿电介层的最大厚度;

21、所述导电电极对应所述电极接触区形成导连。

22、可选的,所述图形化表面结构为表面存在遮挡区域或存在长狭缝区域的表面结构。

23、可见,本专利技术提供的光伏电池中导电电极制备方法,包括提供预制硅片,并利用激光在预制硅片的电极接触区进行照射处理,进行激光推结的同时形成图形化表面结构;图形化表面结构为阻挡或阻碍电介层制备的表面结构,在预制硅片上形成有图形化表面结构的表面中,暴露出的表面处沉积制备电介层,使电介层在电极接触区未完全覆盖图形化表面结构的全部表面,或在电极接触区的覆盖厚度小于或等于预设值,得到待制备电极接触区,预设值为电流能够击穿电介层的最大厚度,在待制备电极接触区电镀制备导电电极。本专利技术通过在制备电介层前进行激光照射处理,无需在制备电介层后再次进行激光开槽处理,能够避免激光照射导致电介层局部升温,对电介层的导电性等性能造成影响,同时电极接触区为制备导电电极的区域,无需考虑激光开槽的对位问题,进而能够减小电极接触区的尺寸。

24、此外,本专利技术还提供了一种光伏电池结构,同样具有上述有益效果。

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【技术保护点】

1.一种光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,所述图形化表面结构为表面存在遮挡区域或存在长狭缝区域的表面结构。

3.根据权利要求2所述的光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,所述表面存在遮挡区域的图形化表面结构,为所述遮挡区域的表面积与电极接触区总表面积的比值大于或等于百分之十五的表面结构。

4.根据权利要求2所述的光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,所述表面存在遮挡区域的图形化表面结构,为多孔状图形化表面结构。

5.根据权利要求1所述的光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,所述激光为波长大于266纳米的激光。

6.根据权利要求5所述的光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,所述激光光斑尺径小于20微米。

7.根据权利要求1所述的光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,在形成所述图形化表面结构之后,在所述预制硅片上形成有所述图形化表面结构的表面中,暴露出的表面处沉积制备电介层之前,还包括:

8.根据权利要求1所述的光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,所述提供预制硅片,包括:

9.一种光伏电池结构,其特征在于,包括:

10.根据权利要求9所述的光伏电池结构,其特征在于,所述图形化表面结构为表面存在遮挡区域或存在长狭缝区域的表面结构。

...

【技术特征摘要】

1.一种光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,所述图形化表面结构为表面存在遮挡区域或存在长狭缝区域的表面结构。

3.根据权利要求2所述的光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,所述表面存在遮挡区域的图形化表面结构,为所述遮挡区域的表面积与电极接触区总表面积的比值大于或等于百分之十五的表面结构。

4.根据权利要求2所述的光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,所述表面存在遮挡区域的图形化表面结构,为多孔状图形化表面结构。

5.根据权利要求1所述的光伏电池中导电电极制备方法,其特征在于,所述激光为...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈一帆马玉超王登辉王龙张强张庭恺孙朋
申请(专利权)人:正泰新能科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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