晶体管和用电设备制造技术

一种晶体管和用电设备，晶体管包括P+型屏蔽层、肖特基电极、N型接触区；其中，P+型屏蔽层包括第一面；肖特基电极设置于第一面上；N型接触区连接肖特基电极，肖特基电极与N型接触区形成肖特基接触。该晶体管具有较强的开关性能，可以有效降低栅极介电层面临的电场强度，提高晶体管的耐压稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种晶体管和用电设备。

技术介绍

1、mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)是一种半导体器件，广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大。mosfet的尺寸非常小，可以在单个芯片中进行设计和制造，既可以是核心也可以是集成电路。但是现有mosfet晶体管的栅漏电容和晶体管的开关损耗较高，导致晶体管的开关性能较差，所以如何提高晶体管的开关性能成为了关键。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种晶体管和用电设备，解决晶体管开关性能差的问题。

2、为实现本专利技术的目的，本专利技术提供了如下的技术方案：

3、第一方面，本专利技术提供一种晶体管，包括p+型屏蔽层、肖特基电极、n型接触区；其中，p+型屏蔽层包括第一面；肖特基电极设置于所述第一面上；n型接触区连接所述肖特基电极，所述肖特基电极与所述n型接触区形成肖特基接触。

4、一种实施方式中，所述n型接触区设置于所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述N型接触区设置于所述第一面上，所述肖特基电极和所述N型接触区沿第一方向连接，所述第一方向与所述P+型屏蔽层的厚度方向垂直。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述P+型屏蔽层包括第一P+型屏蔽层和第二P+型屏蔽层，沿所述第一方向，所述第一P+型屏蔽层和所述第二P+型屏蔽层间隔设置，所述第一P+型屏蔽层包括第一子面，所述第二P+型屏蔽层包括第二子面；

4.根据权利要求3所述的晶体管，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一N型接触区和所述第二N型接触区相对间隔设置，...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述n型接触区设置于所述第一面上，所述肖特基电极和所述n型接触区沿第一方向连接，所述第一方向与所述p+型屏蔽层的厚度方向垂直。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述p+型屏蔽层包括第一p+型屏蔽层和第二p+型屏蔽层，沿所述第一方向，所述第一p+型屏蔽层和所述第二p+型屏蔽层间隔设置，所述第一p+型屏蔽层包括第一子面，所述第二p+型屏蔽层包括第二子面；

4.根据权利要求3所述的晶体管，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一n型接触区和所述第二n型接触区相对间隔设置，所述第一肖特基电极连接所述第一n型接触区背向所述第二n型接触区的一面，所述第二肖特基电极连接所述第二n型接触区背向所述第一n型接触区的一面。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括n-型外延层和n+型扩展层，所述p+型屏蔽层和所述n+型扩展层均连接在所述n-型外延层上，且部分所述n+型扩展层设置于所述第一p+型屏蔽层和所述第二p+型屏蔽层之间，还有部分所述n+型扩展层设置于所述第一n型接触区和所述第二n型接触区之间。

6.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括栅极和源极金属层，所述栅极设置于所述n+型扩展层背向所述n-型外延层的一面，所述源极金属层设置于所述栅极背向所述n-型外延层的一面；沿所述第一方向，所述源极金属层包括相背离的第一端和第二端，所述第一端沿所述源极金属层的厚度方向延伸至与所述第一肖特基电极连接，所述第二端沿所述源极金属层的厚度方向延伸至与所述第二肖特基电极连接。

7.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述n型接触区包括第一n型接触区和第二n型接触区，沿所述第一方向，所述第一n型接触区和所述第二n型接触区分别连接在所述肖特基电极相背的两面上。

8.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括n-型外延层和n+型扩展层，所述n+型扩展层连接在所述n-型外延层上，所述p+型屏蔽层、所述肖特基电极和所述n型接触区均嵌入在所述n+型扩展层中。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，在所述p+型屏蔽层的厚度方向上，所述p+型屏蔽层与所述n-型外延层具有间隙，...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔晓，田垚磊，李岐，李青青，骆彬，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：