发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：衬底、外延结构、银镜结构、绝缘结构、电极结构。绝缘结构包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层在银镜结构处开设第一绝缘层通孔和第二绝缘层通孔，第一绝缘层通孔和第二绝缘层通孔一次成型。避免了相关技术中开设第二绝缘层通孔时可能导致已经成型的第一绝缘层通孔再次腐蚀，从而使得第一绝缘层向通孔两侧收缩，可能导致电极结构短路的问题，提高了发光二极管的可靠性。同时，采用一次成型制作第一绝缘层通孔和第二绝缘层通孔，简化了制作工艺。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种能发光的半导体器件，具有节能、高亮度、耐久性高、寿命长和重量轻等优势，已经在照明和显示等领域得到广泛应用。

2、相关技术提供了一种发光二极管，发光二极管结构包括外延结构、银镜结构、绝缘结构和电极结构。其中，电极结构通过绝缘结构的通孔与银镜结构及外延结构连接。

3、在对绝缘结构进行开孔时，容易出现过腐蚀的问题，从而导致发光二极管可靠性降低。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，能够明显改善制作绝缘层通孔时出现过腐蚀的问题防止第二电极与第一电极焊盘直接接触，导致芯片短路失效。同时，进行一次性腐蚀，简化了开孔的工艺。所述技术方案如下：

2、一方面，提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：衬底、外延结构、银镜结构、绝缘结构、电极结构；

3、所述外延结构位于所述衬底上，所述外延结构开设有台阶结构，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底(101)、外延结构(10)、银镜结构(20)、绝缘结构(30)和电极结构(40)；

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层通孔(113)和所述第二绝缘层通孔(114)的侧壁在一个面上。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层通孔(113)和所述第二绝缘层通孔(114)的侧壁为圆台结构。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述圆台结构的侧壁和所述银镜结构(20)表面的夹角为20～60度。

5.根据权利要求1至4任一项所述的发...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底(101)、外延结构(10)、银镜结构(20)、绝缘结构(30)和电极结构(40)；

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层通孔(113)和所述第二绝缘层通孔(114)的侧壁在一个面上。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层通孔(113)和所述第二绝缘层通孔(114)的侧壁为圆台结构。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述圆台结构的侧壁和所述银镜结构(20)表面的夹角为20～60度。

5.根据权利要求1至4任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：马国强，魏柏林，崔伟豪，冯怡宁，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：