一种电位调整可程序化储存记录实施方法技术

本发明专利技术提供一种电位调整可程序化储存记录实施方法，该方法将半导体ＩＣ芯片电性修整参数储存于特定位置，当制造需求产生时，可将储存参数自储存特定位置取出，并传输至具有参数加载功能的设备，该设备可将预储的修整参数，依制造规格需求，快速加载生产指定位置实施。本发明专利技术设计一种可预先测量参数的通信接口，用以纪录半导体芯片在不同温度或电压的规格参数，将此数据储存纪录，在制造工艺实施前，依照不同规格参数值以内差方式实施修整（ｔｒｉｍ），并达到缩短测试时间的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提出一种方法，用来解决半导体芯片在生产制造工艺过程，因环境温度变动而产生电性漂移现象。该方法将半导体芯片生产制造时，通过操作接口进入参数记录储存位置存取储存所需的参数值，并将参数载入修整(trim)的半导体芯片，来提高半导体芯片制造时程与降低半导体芯片过去因电性漂移修整修整(trim)时程。
技术介绍
请参考图1，图1是半导体晶片的制造工艺的流程图，晶片其材质是硅也是集成电路在生产制作所用的硅芯片，晶片制造工艺共有九项主要程序步骤，晶片(Wafer)其形状因为圆形所以也称之为晶片，通过将电路建构于硅晶片上的方式，每片晶片可包含数百个甚至数千个晶粒，其制造方式是采逐层建构的方式来进行，每一层的制造工艺为一种循环，除了光掩膜上的图案及植入的离子不同之外其它部份也几乎相同只是程序的变化。 晶片制造程序步骤上均会经过氧化、薄膜沉积、扩散、离子值入、光刻、刻蚀、金属化、检测等制造工艺，每一程序描述如下 1.氧化(Dxidation):当硅晶片曝露于含氧的环境时，在晶片表面长出一层的二氧化硅，作为绝缘体。 2.薄膜沉积(D印osition):利用物理现象或化学反应的方式，在晶片表面上产生一层薄膜。 3.扩散(Diffusion):将杂质原子渗透到硅内，然后利用高温来作为杂质扩散以得到所需杂质浓度。 4.离子植入(Ion Implantation):利用离子植入器将杂质注入硅中，掺杂浓度能由离子束电流大小加以控制。 5.光刻(Lithogr即hy):将各种集成电路元件的表面结构利用照相技术，将光掩膜的图案移至晶片表面。 6.刻蚀(Etching):把光刻制造工艺没有被光刻胶铺盖的薄膜部份，以化学反应或物理现象的方式加以去除，以达到整个图案移转到薄膜的目的。 7.金属化(Metallization):当硅基上的元件制造完成后，必需将其连接，以达到电路连接的功能。 8.平坦化(Flatness Process):将晶片表面起伏的介电层外观，加以平坦化的一种半导体制造工艺技术。 9.晶片检查(Wafer inspection):晶片制造完成后，按照晶片的质量给予分类，不合格者报废。 每片晶片(Wafer)因材质、生产制造工艺特有的电性关系，在晶片内部会产生电性漂移，致使每批晶片出厂时，其内部的每一单芯片内部电性记录值均会呈现不同参数。 在半导体IC芯片生产初始，需对每片晶片进行检测，检测每片晶片良率及内部晶粒电性，当半导体IC芯片进入生产后，将晶片加载晶片测试机(wafer probe)由测试机内检测探针针对晶片上的每颗芯片进行量测及记录；量测记录完成后再依芯片个别电性漂移状况，加载制造工艺所需程序及参数后，再由刻录机进行电性修整(trim)，每片晶片上晶粒电性漂宜记录的值均不一样，在修整时加载晶片上每颗晶粒的参数就会不同，每片晶片在进行电性修整时，其需使用20分钟。 请参照图2所示，图2为目前半导体晶片修整(Trim)制造工艺，在图2的步骤五所示晶片测试机读取晶片参数后进行记录(Record)，图2的步骤六为将晶片加载晶片刻录机输入需求参数后进行激光修整(Laser trim)，步骤七为将晶片加载后进行烧录(trim),步骤八为修整完的电性测试，若因修整错误该片芯片即报废，修整完的芯片其中设置有电路包含一线性电路单元及一数字逻辑控制单元，芯片电路可加载程序，即是电路因电流导通使电路发生运作，并产生电性与电压及加载控制造工艺序使电路产生电压值控制，再利用电路的数字逻辑控制单元来对电流导通所生成的电压进行编码/译码执行。其结果产出参数，提供予数字/模拟转换逻辑单元，并经适当运算后输出一参考电压，并由线性电路单元依据该参考电压，据以设定电压控制值或温度值，因此若对芯片数字逻辑控制单元执行编码/译码，即可利用此方式针对相同属性的芯片实施相同的电压值或温度值作业。 现行方法是以激光修整(Laser Trim)方式对半导体芯片电路进行修整(trim)，在半导体芯片中设定有数字逻辑单元与线性电路单元，其中线性电路单元主要包含有运算放大器(Operational Amplifiers)，而数字逻辑控制单元包括有功能参数编码逻辑单元、功能参数译码逻辑单元及数字/模拟转换逻辑单元(D/A Converter)等，半导体芯片是利用数字逻辑控制单元来执行编码/译码，其产生的结果用来提供数字/模拟转换逻辑单元用以输出一参考电压，而线性电路单元则依据参考电压产生一控制电压值，此一电压值可用以做为半导体芯片功能设定的参数值。 但是在半导体晶片(wafer)在生产制造工艺中会产生电性漂移，致使原设定的电位准、参数值产生非预期的变动，为确保半导体制造工艺时能维持一致性，需以修整(trim)来对晶片内部进行检测及进行修整。现有做法是对芯片进行选择性修整，即是以激光或电流烧针对晶片做参数载入，晶片依不同面积可分割成数量不等的芯片，且高容量的数字逻辑匣仅占有限面积，因此可烧录4bit、8bit、16bit、32bit、64bit等数字逻辑匣。 现有可程序化芯片因制造工艺及电气特性会产生电性规格漂移现象因此目前芯片在参数匹配对应方式上采用单一加载方式，将对应参数逐一加载芯片匹配采用逐一修整方式实施调配，当量产制作时，采用逐一对应匹配方式将需求参数以修整方式加载芯片并逐一进行修整，而芯片须依规格需求电压、频率将参数逐一写入设定，若参数有数种参数质时，需逐一比对、加载及检测，使参数能匹配对应，若有温度需求产生时，也需将温度参数加载修整，若此，当芯片大量生产制造时，不仅耗时也增加生产与库存作业成本，无法快速响应生产所需与满足市场需求，且芯片逐一进行参数设定时，其环境变量与人员操作均会因变动使整体时程与可靠度存在不可知的变动。
技术实现思路
本专利技术是一种方法来简化半导体芯片修整制造工艺及提高半导体芯片修整(trim)效能的方法，实施程序将半导体晶片由测试机(Wafer Probe)晶片承载盘载入，承载盘载入晶片后检测头上探针会对晶片内部芯片串行电气特性进行电气良率载测，被载测5的芯片将被检测芯片电性良率是否完整，损坏的芯片将会被注记，电性功能正常的芯片将依电压、频率高低位阶逐项修整(trim)并被注记形成一个记录(Record)或数据(data)并施予编码分类(code Calibration)存记。存记的记录将依类别、属性(Property)、位置储存于特定储存字段或数据库；另部份芯片则会进行温度修整(Temperaturetrim)，即是将芯片依高低温特性进行逐项修整及记录，并将芯片的温度修整参数记录储存，即是将温度参数储存(store)于特定储存字段(Table)或数据库(database)，特定储存字段或数据库即以分类方式载录半导体芯片生产制造工艺中有关温度参数、电压值、电频等相关参数。 当生产需求产生时，晶片电性在良率检测及电性漂移状态已经实施量测，并对晶片内部芯片状态及良率不佳的芯片予以标注(Mark)，因此在生产制造时不需经过修整(trim)，可直接将已测试的晶片依客户需求规格自记载区或数据夹取出相关参数进行修整，修整完成的晶片即可以进行后续贴片(Wafer mount)、切割(Die saw)、黏晶(DieBond)、焊线(Wire本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，该方法将半导体ＩＣ芯片电性修整参数储存于特定位置，当制造需求产生时，可将储存参数自储存特定位置取出，并传输至具有参数加载功能的设备，该设备可将预储的修整参数，依制造规格需求，快速加载生产指定位置实施。

【技术特征摘要】
一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，该方法将半导体IC芯片电性修整参数储存于特定位置，当制造需求产生时，可将储存参数自储存特定位置取出，并传输至具有参数加载功能的设备，该设备可将预储的修整参数，依制造规格需求，快速加载生产指定位置实施。2. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，参数包 含有电压、频率、温度单元参数。3. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，修整方 法可使用激光、电流方式实施。4. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，修整参 数可以记录、储存、分类、写入。5. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置可包含一属性文件，可用以储存该电性数据的参数。6. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存参 数包含电压、温度、频率参数、时间参数。7 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置为具有磁道储存功能的设备。8. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置为具有光储存功能设备。9. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置为具有记录读写功能的储存设备。10. 如权利要求5所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置记录功能包含有一加载功能。11. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置记录功能包含有一插入功能。12. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置记录功能包含有一修改功能。13. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置记录功能包含有一删除功能。14. 如权利要求3所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，温度参 数修整为对半导体晶片面积上的晶粒电性进行修整。15. 如权利要求3所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，电压参 数修整，为对半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德如，刘东荣，
申请(专利权)人：朋程科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]