一种电位调整可程序化储存记录实施方法技术

本发明专利技术提供一种电位调整可程序化储存记录实施方法，该方法将半导体ＩＣ芯片电性修整参数储存于特定位置，当制造需求产生时，可将储存参数自储存特定位置取出，并传输至具有参数加载功能的设备，该设备可将预储的修整参数，依制造规格需求，快速加载生产指定位置实施。本发明专利技术设计一种可预先测量参数的通信接口，用以纪录半导体芯片在不同温度或电压的规格参数，将此数据储存纪录，在制造工艺实施前，依照不同规格参数值以内差方式实施修整（ｔｒｉｍ），并达到缩短测试时间的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提出一种方法，用来解决半导体芯片在生产制造工艺过程，因环境温度变动而产生电性漂移现象。该方法将半导体芯片生产制造时，通过操作接口进入参数记录储存位置存取储存所需的参数值，并将参数载入修整(trim)的半导体芯片，来提高半导体芯片制造时程与降低半导体芯片过去因电性漂移修整修整(trim)时程。
技术介绍
请参考图1，图1是半导体晶片的制造工艺的流程图，晶片其材质是硅也是集成电路在生产制作所用的硅芯片，晶片制造工艺共有九项主要程序步骤，晶片(Wafer)其形状因为圆形所以也称之为晶片，通过将电路建构于硅晶片上的方式，每片晶片可包含数百个甚至数千个晶粒，其制造方式是采逐层建构的方式来进行，每一层的制造工艺为一种循环，除了光掩膜上的图案及植入的离子不同之外其它部份也几乎相同只是程序的变化。 晶片制造程序步骤上均会经过氧化、薄膜沉积、扩散、离子值入、光刻、刻蚀、金属化、检测等制造工艺，每一程序描述如下 1.氧化(Dxidation):当硅晶片曝露于含氧的环境时，在晶片表面长出一层的二氧化硅，作为绝缘体。 2.薄膜沉积(D印osition):利用物理现象或化学反应的方式，在晶片表面上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，该方法将半导体ＩＣ芯片电性修整参数储存于特定位置，当制造需求产生时，可将储存参数自储存特定位置取出，并传输至具有参数加载功能的设备，该设备可将预储的修整参数，依制造规格需求，快速加载生产指定位置实施。

【技术特征摘要】
一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，该方法将半导体IC芯片电性修整参数储存于特定位置，当制造需求产生时，可将储存参数自储存特定位置取出，并传输至具有参数加载功能的设备，该设备可将预储的修整参数，依制造规格需求，快速加载生产指定位置实施。2. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，参数包 含有电压、频率、温度单元参数。3. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，修整方 法可使用激光、电流方式实施。4. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，修整参 数可以记录、储存、分类、写入。5. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置可包含一属性文件，可用以储存该电性数据的参数。6. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存参 数包含电压、温度、频率参数、时间参数。7 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置为具有磁道储存功能的设备。8. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置为具有光储存功能设备。9. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置为具有记录读写功能的储存设备。10. 如权利要求5所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置记录功能包含有一加载功能。11. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置记录功能包含有一插入功能。12. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置记录功能包含有一修改功能。13. 如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特 定位置记录功能包含有一删除功能。14. 如权利要求3所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，温度参 数修整为对半导体晶片面积上的晶粒电性进行修整。15. 如权利要求3所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，电压参 数修整，为对半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德如，刘东荣，
申请(专利权)人：朋程科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]