电压调节器的过冲检测制造技术

技术编号:42647337 阅读:42 留言:0更新日期:2024-09-06 01:41
一种电压调节器反馈电路包括第一比较器、第二比较器和逻辑电路。第一比较器被配置为基于电压调节目标信号与反馈电压信号的比较来生成过冲信号。第二比较器被配置为基于电流感测放大器电压与参考电压的比较来生成正向电流信号。逻辑电路被配置为基于过冲信号和正向电流信号来生成击穿信号。连接在电感器的第二端与参考地之间的晶体管的栅极信号是至少部分地基于击穿信号来生成的,并且被配置为至少部分地基于具有真值的击穿信号来使晶体管断开。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及半导体器件。更具体地,本公开涉及电压调节电路系统中的过冲检测。


技术介绍

1、电压调节电路系统充当媒介,以从电源生成经调节的恒定输出电压,以供一个或多个负载使用。这样的电压调节电路可以利用线性或其他电压调节器组件,诸如降压、升压和低压差(ldo)调节器组件。在一些情况下,当负载的功率要求迅速降低时,可能需要耗散已经存在于电压调节电路系统中(例如,在电感器中)的多余功率,例如,通过分流到输出电容器,然后将输出电容器排到地。


技术实现思路

1、在一个实施例中,公开了一种包括电压调节器电路的半导体器件。电压调节器电路包括电源输入;参考地;包括第一端和第二端的电感器,第二端被连接到负载;被设置在电源输入与电感器的第一端之间的第一晶体管;被设置在参考地与电感器的第一端之间的第二晶体管;被设置在电感器的第二端与参考地之间的电容器;以及被配置为输出第二晶体管的栅极信号的反馈电路。栅极信号被配置为控制第二晶体管的栅极以闭合和断开第二晶体管。反馈电路包括第一比较器。第一比较器被配置为基于电压调节目标信号与反馈电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述栅极信号是至少部分地基于所述击穿信号和脉宽调制信号来生成的。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二晶体管被配置为在断开时用作二极管,跨所述电感器的电压差等于跨所述二极管的电压差与跨所述电容器的电压差的组合。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述逻辑电路被配置为基于所述过冲信号和所述正向电流信号均具有真值来生成具有真值的所述击穿信号。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一比较器被配置为基于所述电压调节目标信号大于所述反馈电压信号来生成具有真...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述栅极信号是至少部分地基于所述击穿信号和脉宽调制信号来生成的。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二晶体管被配置为在断开时用作二极管,跨所述电感器的电压差等于跨所述二极管的电压差与跨所述电容器的电压差的组合。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述逻辑电路被配置为基于所述过冲信号和所述正向电流信号均具有真值来生成具有真值的所述击穿信号。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一比较器被配置为基于所述电压调节目标信号大于所述反馈电压信号来生成具有真值的所述过冲信号。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二比较器被配置为基于所述电流感测放大器电压大于所述参考电压来生成具有真值的所述正向电流信号。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述电感器被配置为:当所述第二晶体管闭合时以第一速率向所述电容器释放能量,并且当所述第二晶体管断开时以第二速率向所述电容器释放能量,所述第二速率相比所述第一速率更快。

8.一种用于电压调节的方法,包括:

9.根据权利要求8所述的方法,还包括:

10.根据权利要求8所述的方法,还包括:

11.根据权利要求8所述的方法,其中基于所述电流感测放大电压信号与所述参考值的比较来确定所述负载线电流正在正向方向上从电感器的第一端流到电容器包括:确定所述电流感测放大电压信号大于所述参考值。

12.根据权利要求8所述的方法,其中基于所述电压调节目标信号与所述反馈信号的比较来确定所述电压过冲正在进行包括:确定所...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·S·克莱恩
申请(专利权)人:瑞萨电子美国有限公司
类型:发明
国别省市:

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