半桥开关组件制造技术

一种半桥开关组件包括具有多个并联的第一半导体开关元件的高侧开关；具有多个并联的第二半导体开关元件的低侧开关；正母线，分别与高侧开关的第一半导体开关元件的第一接口电连接；负母线，分别与低侧开关的第二半导体开关元件的第二接口电连接；以及冷却主体。正母线和负母线均为L形。第二区段邻接至正母线的第一区段；第二区段邻接至负母线的第一区段。正母线的第一区段和负母线的第一区段平行设置，使得正母线和负母线一起形成T形。冷却主体布置在正母线的第二区段和负母线的第二区段上。第一半导体开关元件的外表面与正母线的第一区段的背离负母线的表面热接触；第二半导体开关元件的外表面与负母线的第一区段的背离正母线的表面热接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半桥开关组件。

技术介绍

1、半桥开关组件可以例如用在整流器中，例如用作逆整流器或用于直流电压和交流电压之间相互转换的逆变器。例如，这种半桥开关组件可以用在(机动)车中的功率模块中，以便在直流电气系统和可以用多相交流电压操作的电机之间转换电压。

2、这种半桥开关组件每相具有一个半桥，每个半桥具有高侧开关和低侧开关。单独的、分立的半导体开关元件可以用作高侧或低侧开关，例如fet、mosfet、igbt等单独的晶体管，或者由大量这种分立的半导体开关元件并联而成。

3、通过以这种方式将分立部件并联连接为高侧开关或低侧开关，可以实现高性能可扩展性以及高功率或高电流水平。然而，这种情况下通常会导致中间电路电感较高，从而换向环路的总电感较高。通常还证明，难以充分冷却此类半桥开关组件，以便在高电流和高开关频率下将温度维持在期望值。

4、因此，期望提供一种改进的半桥开关组件，其具有作为高侧开关和低侧开关的各个半导体开关元件的并联连接。

技术实现思路

1、在此背景下，提出了本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半桥开关组件(1、100)，包括：

2.根据权利要求1所述的半桥开关组件，还包括电路板(160)，

3.根据权利要求2所述的半桥开关组件，还包括输出相母线(170)，所述第一半导体开关元件(11、111)的第二接口和所述第二半导体开关元件(21、121)的第一接口电连接至所述输出相母线，

4.根据权利要求3所述的半桥开关组件，还包括输出相绝缘层(193)，

5.根据前述权利要求中任一项所述的半桥开关组件，还包括第一电容器单元(150)，所述第一电容器单元具有至少一个电容器元件，

6.根据权利要求5所述的半桥开关组件，其中...

【技术特征摘要】

1.一种半桥开关组件(1、100)，包括：

2.根据权利要求1所述的半桥开关组件，还包括电路板(160)，

3.根据权利要求2所述的半桥开关组件，还包括输出相母线(170)，所述第一半导体开关元件(11、111)的第二接口和所述第二半导体开关元件(21、121)的第一接口电连接至所述输出相母线，

4.根据权利要求3所述的半桥开关组件，还包括输出相绝缘层(193)，

5.根据前述权利要求中任一项所述的半桥开关组件，还包括第一电容器单元(150)，所述第一电容器单元具有至少一个电容器元件，

6.根据权利要求5所述的半桥开关组件，其中，所述第一电容器单元(150)的第一接口(151)电连接至所述正母线(130)，特别是电连接至所述正母线(130)的第一区段(131),并且在所述正母线(130)的第一区段(131)中设置有通道(153),所述第一电容器单元(150)的第二接口(152)被引导穿过所述通道,所述第二接口电连接至所述负母线(140)，特别是电连接至所述负母线(140)的第一区段(141)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半桥开关组件，还包括第二电容器单元(150’)，所述第二电容器单元具有至少一个电容器元件，

8.根据权利要求7所述的半桥开...

【专利技术属性】
技术研发人员：妮玛·萨达特，马蒂斯·卢尔茨，蒂姆·罗曼，埃里克·佩特曼，
申请(专利权)人：SEG汽车德国有限公司，
类型：发明
国别省市：