【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子元件检测，具体涉及一种绝缘栅双极晶体管igbt的饱和压降检测电路。
技术介绍
1、随着新能源的不断发展，越来越多的变流器中应用绝缘栅双极晶体管(igbt，insulate-gate bipolar transistor)。例如，风电变流器、光伏逆变器、储能变流器等均包括igbt。
2、例如，风电变流器中igbt的阻断电压较高(1700v以上)、电流较大(1000a以上)，风电变流器的直流母线电压较高(通常1050v以上)，关断电压尖峰最高可达到1500v以上。
3、现有技术中，igbt在关断瞬间，无法对关断电压尖峰进行稳压，一般关断电压尖峰可达到1500v以上，因此导致igbt的饱和压降超出量程范围，无法准确检测到igbt的饱和压降。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种绝缘栅双极晶体管igbt的饱和压降检测电路，能够准确检测igbt的饱和压降。
2、本申请提供一种igbt的饱和压降检测电路，包括：限流电阻、稳压二极管、三极管和电压差
【技术保护点】
1.一种绝缘栅双极晶体管IGBT的饱和压降检测电路，其特征在于，包括：限流电阻、稳压二极管、三极管和电压差分探头；
2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，还包括：滤波电容和滤波电阻形成的低通滤波器；
3.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路还包括脉冲电源；
4.根据权利要求3所述的检测电路，其特征在于，所述待测IGBT位于IGBT模块，所述IGBT模块包括串联的第一IGBT管和第二IGBT管，所述待测IGBT为所述第二IGBT管；
5.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路还包括
...【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极晶体管igbt的饱和压降检测电路，其特征在于，包括：限流电阻、稳压二极管、三极管和电压差分探头；
2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，还包括：滤波电容和滤波电阻形成的低通滤波器；
3.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路还包括脉冲电源；
4.根据权利要求3所述的检测电路，其特征在于，所述待测igbt位于igbt模块，所述igbt模块包括串联的第一igbt管和第二igbt管，所述待测igbt为所述第二igbt管；
5.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳，
申请(专利权)人：北京金风科创风电设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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