一种图像传感器及其制备方法技术

技术编号：42644554 阅读：23 留言：0更新日期：2024-09-06 01:40

本发明专利技术公开了一种图像传感器及其制备方法，属于半导体技术领域。所述图像传感器至少包括：衬底；光电感应区，设置在所述衬底内；隔离阱区，设置在所述光电感应区上，所述光电感应区的边缘的所述隔离阱区向所述光电感应区的深度方向上延伸，并包围所述光电感应区；栅极，设置在所述光电感应区上的所述隔离阱区内，且所述栅极由所述衬底的表面向所述衬底内延伸；以及浮置扩散区，环绕所述栅极设置在所述隔离阱区内，且所述光电感应区、所述栅极和所述浮置扩散区具有共同的轴线。通过本发明专利技术提供的图像传感器及其制备方法，能够在实现大尺寸像素的同时，防止电子残留的产生。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种图像传感器及其制备方法。

技术介绍

1、互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)图像传感器将光信号转换为电信号并输出，具有成本低、功耗低、工艺兼容性好等优点，被广泛应用于智能手机、机器视觉和监控摄像头等领域。在cmos图像传感器的结构中，大尺寸像素具有高灵敏度和高动态范围的优点，但是大尺寸像素容易导致电子残留，从而破坏图像传感器的性能。因此，对于cmos图像传感器，设计大尺寸像素的同时，不可避免地会产生电子残留。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种图像传感器及其制备方法，能够在设计大尺寸像素的同时，防止电子残留的产生，提高图像传感器的质量。

2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的。

3、本专利技术提供一种图像传感器，至少包括：

4、衬底；

5、光电感应区，设置在所述衬底内；

6、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述栅极的深度大于所述浮置扩散区的深度。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述栅极和所述浮置扩散区的深度比值为(1.5-4):1。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述栅极和所述光电感应区之间具有预设距离，所述预设距离为0-0.1μm。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构环绕设置在所述浮置扩散区远离所述栅极一侧的所述衬底内。