一种无损AF疏水涂层的制备方法技术

本发明专利技术涉及AF涂层的技术领域，公开了一种无损AF疏水涂层的制备方法，包括以下步骤：步骤一，将表面形成有AF膜的基材置于等离子体室的反应腔室内，抽真空至20‑250毫托，并通入惰性气体；步骤二，将单体1气化后，以蒸汽形式通入到反应腔室内，开启等离子体放电，沉积出疏水层；步骤三，关闭等离子体放电，通入洁净的压缩空气或者惰性气体，腔体恢复至常压，打开反应腔室，取出基材。通过本申请提供的镀膜方法所制备的膜层可以涂覆于手机等电子产品的各位置处，同时可以有效防止对AF涂层造成损伤，提高了使用寿命，外观正常。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子化学领域，特别涉及一种无损af疏水涂层的制备方法。

技术介绍

1、手机等电子产品为提高客户使用过程中手感，减少手指印痕在屏幕表面残留皆采用屏幕表面af涂层工艺，该涂层具有良好的耐指纹脏污功效，且在很大程度上提高产品表面疏水性能，具有良好的疏水疏油性及耐膜层性能，但是该af涂层只应用于屏幕表面，无法针对其他组件及缝隙位置起到疏水效果。

2、目前疏水膜工艺方案过程中采用大功率大能量的镀膜过程，在大能量的轰击过程中，af涂层会存在损伤，表征为表面接触角＜100°，或者使用寿命降低，另会存在外观异常。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种无损af疏水涂层的制备方法，旨在解决现有技术中的上述问题。

2、本申请提供了一种无损af疏水涂层的制备方法，包括以下步骤：

3、步骤一，将表面形成有af膜的基材置于等离子体室的反应腔室内，抽真空至20-250毫托，并通入惰性气体；

4、步骤二，将单体1气化后，以蒸汽形式通入到反应腔室内，开启等离子体放电，采本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无损AF疏水涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种无损AF疏水涂层的制备方法，其特征在于，所述单体1为3-(全氟-5-甲基己基)-2-羟基丙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟己基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟十二烷基)乙基丙烯酸酯、2-全氟辛基丙烯酸乙酯、1H,1H,2H,2H-全氟辛醇丙烯酸酯、2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯、(2H-全氟丙基)-2-丙烯酸酯以及(全氟环己基)甲基丙烯酸酯中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种无损AF疏水涂层的制备方法，其特征在于，步骤二中，首先在不放电的情况...

【技术特征摘要】

1.一种无损af疏水涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种无损af疏水涂层的制备方法，其特征在于，所述单体1为3-(全氟-5-甲基己基)-2-羟基丙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟己基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟十二烷基)乙基丙烯酸酯、2-全氟辛基丙烯酸乙酯、1h,1h,2h,2h-全氟辛醇丙烯酸酯、2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯、(2h-全氟丙基)-2-丙烯酸酯以及(全氟环己基)甲基丙烯酸酯中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种无损af疏水涂层的制备方法，其特征在于，步骤二中，首先在不放电的情况下，单体1以蒸汽形式通入到腔体内通入时间10s-600s，然后在同时通入单体1后开启放电，单体1的输入流量为30-500ul/min。

4.根据权利要求1所述的一种无损af疏水涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，等离子体放电功率为10～100w，放电时间100～7200s，放电过程中腔室维持恒压状态，腔体压力维持在20-200mt；在步骤三中，压缩空气压力在0.1-1mp，抽真空速率在5％-80％，惰性气体流量为0-...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗坚，谢蒙，
申请(专利权)人：菲沃泰纳米科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：