【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及cmos图像传感器成像性能测试，具体为一种基于emva1288标准的简化cmos图像传感器成像性能测试方法。
技术介绍
1、当前，cmos图像传感器已逐渐在各领域广泛应用，其中信噪比(snr)是均匀恒定光源条件下cmos图像传感器信号和噪声的比值，动态范围(dr)则可用来描述cmos图像传感器在同一张图像中可同时探测到的最大光强信号和最小光强信号的范围，二者均为评估cmos图像传感器质量的重要指标。
2、尽管在传感器开发过程中，专业研发人员可通过各类仪器，对传感器的信噪比和动态范围的计算所需各成像性能参数进行系统测试，以获取对应的性能指标作为传感器合格与否的评判标准，但对于很多采购cmos图像传感器进行产品研发的企业来说，由于不具备拥有同类型实验所需的全部精密仪器的条件，加之传感器性能指标的测量过程较为繁琐，各指标间拥有不同程度的关联。因此如何对采购的cmos图像传感器进行测试，以确定其实际信噪比和动态范围是否满足研发产品的参数要求，需要一套在保证精度的同时且能够对cmos传感器信噪比和动态范围进行完整测试的简...
【技术保护点】
1.一种基于EMVA1288标准的简化CMOS图像传感器成像性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于EMVA1288标准的简化CMOS图像传感器成像性能测试方法，其特征在于，所属步骤S100中，搭建满足测试要求的实验环境的步骤如下：
3.根据权利要求2所述的一种基于EMVA1288标准的简化CMOS图像传感器成像性能测试方法，其特征在于，所述步骤S100中，设置曝光时间梯度，批量采集图像样本的步骤如下：
4.根据权利要求3所述的一种基于EMVA1288标准的简化CMOS图像传感器成像性能测试方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种基于emva1288标准的简化cmos图像传感器成像性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于emva1288标准的简化cmos图像传感器成像性能测试方法，其特征在于，所属步骤s100中，搭建满足测试要求的实验环境的步骤如下：
3.根据权利要求2所述的一种基于emva1288标准的简化cmos图像传感器成像性能测试方法，其特征在于，所述步骤s100中，设置曝光时间梯度，批量采集图像样本的步骤如下：
4.根据权利要求3所述的一种基于emva1288标准的简化cmos图像传感器成像性能测试方法，其特征在于，所述步骤s200中，计算不同曝光时间梯度下图像数字信号的时间噪声和空间噪声的步骤如下：
5.根据权利要求4所述的一种基于emva1288标准的简化cmos图像传感器成像性能测试方法，其特征在于，所述步骤s200中，传感器的饱和信号的计算步骤如下：
6.根据权利要求5所述的一种基于emva1288标准的简化cmos图像传感器成像性能测试方法，其特征在于，利用饱和信号对应的曝光时间...
【专利技术属性】
技术研发人员：苗庆伟，刘其沛，孟万利，
申请(专利权)人：河南埃尔森智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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