一种功率半导体模块、连接端子及连接端子制备方法技术

本发明专利技术公开了一种功率半导体模块、连接端子及连接端子制备方法，该模块被配置包括：功率芯片；DBC板，作为所述功率芯片的载体；连接端子，用于电气连接；所述连接端子被配置包括导电金属线以及包裹所述导电金属线的改性聚氨酯，所述改性聚氨酯包括丙烯酸羟乙酯、对苯二酚、六亚甲基二异氰酸酯、辛酸亚锡和改性多壁碳纳米管。本模块采用改性聚氨酯包裹导电金属线，聚氨酯具有粘弹性，能够直接与功率芯片引脚、DBC板的金属层接触粘连，聚氨酯中的改性多壁碳纳米管作为导电介质使聚氨酯具有导电效果，加之被聚氨酯包裹的导电金属线，保证了连接端子的导电性能，实现了粘连电气连接，在一定程度上减少了因焊接工艺所引起的杂散电感。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体模块，尤其涉及一种功率半导体模块、连接端子及连接端子制备方法。

技术介绍

1、sic mosfet被视为硅基igbt /mosfet 的可靠替代品，具有耐高压、高频、高温的特点，并且由于其导通电阻低，导通损耗小，在新能源发电、电动汽车、电力系统等领域得到了广泛的发展和应用。

2、目前的sic mosfet功率模块封装结构仍然沿用硅基功率模块封装结构，例如功率模块hpd、hp1、hp1-dc6、me4等，又如功率分立器件to系列封装，这些封装类型都可以归结于硅基功率器件封装结构。

3、硅基功率模块封装结构主要包括封装体，以及一块dbc板或者amb板，dbc/amb一面上载有功率芯片，功率芯片之间、功率芯片与dbc板或者amb板之间、功率芯片与引脚之间分别通过键合引线或者铜带按照设计的电路结构进行电气连接，再通过封装体将硅基功率芯片进行密封；dbc/amb另一面往往用作散热，功率芯片工作状态所产生的热通过这一面散热到模块外部；dpim不用，但也可以更具实际需要进行添加。

4、现有的硅基功率模块封装结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体模块，其特征在于，该模块被配置包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述丙烯酸羟乙酯和六亚甲基二异氰酸酯的质量比为2:1，所述对苯二酚、六亚甲基二异氰酸酯和辛酸亚锡的质量比为0.1:(24～27):0.1，所述改性多壁碳纳米管的质量为丙烯酸羟乙酯、对苯二酚和六亚甲基二异氰酸酯总质量的1%～5%。

3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述改性多壁碳纳米管为多壁碳纳米管用混酸酸化处理得到，所述混酸为体积比为1:(1～5)的浓HNO3 和浓H2SO4混合得到。

4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体模块，其特征在于，该模块被配置包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述丙烯酸羟乙酯和六亚甲基二异氰酸酯的质量比为2:1，所述对苯二酚、六亚甲基二异氰酸酯和辛酸亚锡的质量比为0.1:(24～27):0.1，所述改性多壁碳纳米管的质量为丙烯酸羟乙酯、对苯二酚和六亚甲基二异氰酸酯总质量的1%～5%。

3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述改性多壁碳纳米管为多壁碳纳米管用混酸酸化处理得到，所述混酸为体积比为1:(1～5)的浓hno3 和浓h2so4混合得到。

4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述dbc板包括第一dbc板和第二dbc板，所述第一dbc板和所述第二dbc板分别包括第一金属层、第二金属层和位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的陶瓷绝缘层；所述第一dbc板和所述第二dbc板的第一金属层位于最外层，用于散热；所述第一dbc板的第二金属层和所述第二dbc板的第二金属层相对设置。

5.根据权利要求4所述的功率半导体模块，其特征在于，所述功率芯片被布设于所述第一dbc板的第二金属层上，所述第二dbc板的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王友强，廖光朝，
申请(专利权)人：重庆云潼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：