防着板以及磁控溅射设备制造技术

技术编号:42639596 阅读:37 留言:0更新日期:2024-09-06 01:37
本技术公开了防着板以及磁控溅射设备。防着板形成有开口部,防着板以使基片的中部区域从开口部被露出的方式压住基片的四周的边缘。防着板具有:第一平坦部,围绕开口部;多个第一倾斜部,与分别与开口部的各边相对,以从防着板的边缘朝向开口部的方向厚度逐渐减少的方式倾斜,各第一倾斜部的两个端部分别避开开口部的多个角部当中与其对应的角部;多个减薄部,厚度比第一平坦部的厚度小,分别与开口部的角部相对,减薄部的与角部相对的一端,形成有第二倾斜部,第二倾斜部以从防着板的边缘朝向开口部的方向厚度逐渐减少的方式倾斜。根据本技术的防着板,能够减弱多边形状的基片的多个角的位置的沉积镀膜的边缘效应。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及不限于磁控溅射,尤其涉及防着板以及磁控溅射设备


技术介绍

1、磁控溅射是物理气相沉积(physical vapor deposition,pvd)的一种。磁控溅射被用于制备金属、半导体、绝缘体等多种材料。磁控溅射具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。

2、作为典型的磁控溅射设备,大致包括磁控管、真空腔体、靶材以及基片台。工作时,向真空腔室内通入氩气,磁控管产生磁场,电源对靶材施加负电压从而产生电场,电子在电场的作用下从靶材向基片台移动。移动过程中电子与氩原子发生碰撞,使其电离产生出氩离子和新的电子,氩离子在电场作用下加速飞向靶材,轰击靶材表面以使靶材发生溅射,溅射出来的靶材原子沉积在基片的表面从而形成薄膜。

3、但是,溅射出来的靶材原子不仅沉积在基片的表面,也会朝向真空腔体的内壁移动,进而沉积在真空腔体的内壁上,导致真空腔体的内壁被污染。为此,会在溅射区域设置防着板装置,以抑制溅射出来的靶材原子沉积在真空腔体的内壁上。

4、例如,防着板的中部形成开口区域,在基片台承载基片上升时,基片的四周边缘抵本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.防着板,可用于磁控溅射设备,所述防着板的中部形成有呈多边形的开口部,所述防着板以使呈多边形的基片的中部区域从所述开口部被露出的方式,压住所述基片的四周的边缘,其特征在于,所述防着板具有:

2.根据权利要求1所述的防着板,其特征在于,所述第一平坦部和所述减薄部之间,形成有阶梯部,所述第二倾斜部的与所述第一平坦部相对的一端延伸到所述阶梯部。

3.根据权利要求1所述的防着板,其特征在于,所述第一平坦部和所述减薄部之间,形成有阶梯部;

4.根据权利要求1至3中任一项所述的防着板,其特征在于,所述第一平坦部的厚度为8mm至20mm的范围,所述减薄部的最大的厚...

【技术特征摘要】

1.防着板,可用于磁控溅射设备,所述防着板的中部形成有呈多边形的开口部,所述防着板以使呈多边形的基片的中部区域从所述开口部被露出的方式,压住所述基片的四周的边缘,其特征在于,所述防着板具有:

2.根据权利要求1所述的防着板,其特征在于,所述第一平坦部和所述减薄部之间,形成有阶梯部,所述第二倾斜部的与所述第一平坦部相对的一端延伸到所述阶梯部。

3.根据权利要求1所述的防着板,其特征在于,所述第一平坦部和所述减薄部之间,形成有阶梯部;

4.根据权利要求1至3中任一项所述的防着板,其特征在于,所述第一平坦部的厚度为8mm至20mm的范围,所述减薄部的最大的厚度为2mm至10mm的范围。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的防着板,其特征在于,所述第一倾斜部的角度为10°至30°的范围,所述第二倾斜部的角度为5°至15°的范围,并...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡小波冯琳张晓军
申请(专利权)人:深圳市矩阵多元科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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