晶体管结构、制备方法、功率开关、控制器、设备及车辆技术

本公开涉及晶体管结构、制备方法、功率开关、控制器、设备及车辆。其中，晶体管结构包括栅极层，栅极层包括有源区栅极部、焊盘区栅极部以及栅极电阻部；栅极电阻部分别与有源区栅极部和焊盘区栅极部连接，从而在栅极层内设置一定的区域部分形成栅极电阻部，实现将栅极电阻集成设置在晶体管的栅极层中，不会引入有源区额外的栅极传输延迟，有利于提高响应速度，且有效抑制晶体管开通过程中的栅极震荡；由于该栅极电阻部与有源区栅极部和焊盘区栅极部同时形成在栅极层，在不需要增加额外的工艺步骤的前提下，实现了栅极电阻的集成设置，使得该晶体管在封装之后无需额外再单独串联栅极电阻器件，减少了元件数量，降低了成本和复杂性，提高了稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及电力电子器件，尤其涉及一种晶体管结构、制备方法、功率开关、控制器、设备及车辆。

技术介绍

1、电力电子器件，例如晶闸管(即晶体管)，具体如gto、gtr、mosfet和igbt等，能够对电能进行变换和控制，在当今能源开发和利用中发挥着重要的作用。当前，传统的硅基电力电子器件的水平已经逼近了硅材料的极限。而碳化硅(sic)材料由于具有较宽的带隙宽度、较高的热导率、较大的饱和漂移速度以及较高的临界击穿电场等性能，将sic材料用于电子电力器件的制备已经成为目前发展方向之一。

2、基于sic的晶体管在应用时，通常需要在封装侧配置栅极电阻，栅极电阻所起到的作用主要是调节开关速度以及抑制栅极振动，从而利于实现较好的开关性能。目前，针对栅极电阻的配置，通常在晶体管整体封装之后，需要额外再单独串联栅极电阻器件，该额外的栅极电阻器件的单独串联设置使得晶体管所在系统的整体复杂性较高，稳定性较差，且成本较高。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题或至少部分解决上述技术问题，本公开提供了一种晶体管结构、制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，在所述栅极层所在的平面内，所述焊盘区栅极部包围所述有源区栅极部，所述栅极电阻部设置在所述焊盘区栅极部与所述有源区栅极部之间；

3.如权利要求1或2所述的晶体管结构，其特征在于，在所述栅极层所在的平面内，所述栅极电阻部的平面形状为条形、方形、环形、圆形以及椭圆形中的至少一种形状或形状组合。

4.如权利要求1或2所述的晶体管结构，其特征在于，针对单个所述栅极电阻部，根据目标阻值，设置栅极电阻部在所述有源区栅极部和所述焊盘区栅极部之间的宽度、所述有源区栅极部和焊所述盘区栅极...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，在所述栅极层所在的平面内，所述焊盘区栅极部包围所述有源区栅极部，所述栅极电阻部设置在所述焊盘区栅极部与所述有源区栅极部之间；

3.如权利要求1或2所述的晶体管结构，其特征在于，在所述栅极层所在的平面内，所述栅极电阻部的平面形状为条形、方形、环形、圆形以及椭圆形中的至少一种形状或形状组合。

4.如权利要求1或2所述的晶体管结构，其特征在于，针对单个所述栅极电阻部，根据目标阻值，设置栅极电阻部在所述有源区栅极部和所述焊盘区栅极部之间的宽度、所述有源区栅极部和焊所述盘区栅极之间的距离以及所述栅极层的方块电阻中的至少一者。

5.如权利要求1或2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱继红，俞敏锋，于金英，袁宝成，
申请(专利权)人：北京车和家汽车科技有限公司，
类型：发明
国别省市：