【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体上涉及光子设备，并且具体地但非排他地，涉及包括多层光子设备的光子集成电路。
技术介绍
1、绝缘体上硅(soi)技术允许使用与互补金属氧化物半导体(cmos)处理系统兼容的技术来制造光子设备。以这种方式，集成电路可以被设计和制造成包括电子组件和光子组件两者。光子集成电路可以被设计为将通常用于长距离传输信息的光纤信号直接转换为芯片上的电子信号，反之亦然。因此，soi设备受到由半导体制造系统施加的对空间和可制造性的约束的限制。因此，需要soi电路组件直接在芯片上实现光学处理，诸如耦合、布线、复用、解复用、交织和/或解交织，同时还减小soi组件的覆盖区(footprint)。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种多层光子设备，包括：
2.根据权利要求1所述的多层光子设备，其中：
3.根据权利要求2所述的多层光子设备，其中，第一材料是氧化硅，第二材料是硅，并且第三材料是氮化硅。
4.根据权利要求2所述的多层光子设备，其中，第一多个特征不规则且不均匀地分布在第一元结构色散区域中，并且其中，第二多个特征不规则且不均匀地分布在第二元结构色散区域中。
5.根据权利要求1所述的多层光子设备，其中，第一图案化层包括在横向平面中共同延伸的多个元结构色散区域。
6.根据权利要求1所述的多层光子设备，其中，所述多层堆叠还包括设置在第一元结构色散区域和第二元结构色散区域之间的蚀刻停止层。
7.根据权利要求1所述的多层光子设备，其中：
8.根据权利要求7所述的多层光子设备，其中，第三方向与第一方向对准。
9.根据权利要求7所述的多层光子设备，其中
10.根据权利要求9所述的多层光子设备，其中，第一元结构色散区域被构造为复用第一输入信号和第二输入信号以生成吞吐量信号。
11.根据权利要求
12.根据权利要求1所述的多层光子设备，其中：
13.根据权利要求12所述的多层光子设备，其中：
14.根据权利要求12所述的多层光子设备，其中：
15.一种在多层光子设备的层之间传导电磁辐射的方法，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中：
17.根据权利要求15所述的方法，其中，第二图案化层覆盖第一图案化层。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，将输入信号耦合到所述多层堆叠中包括将输入信号耦合到第一图案化层中，并且其中，生成输出信号包括：
19.根据权利要求15所述的方法，其中：
20.根据权利要求19所述的方法，其中，输入信号和输出信号的特征在于单一光学模式。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种多层光子设备，包括：
2.根据权利要求1所述的多层光子设备，其中：
3.根据权利要求2所述的多层光子设备，其中，第一材料是氧化硅，第二材料是硅，并且第三材料是氮化硅。
4.根据权利要求2所述的多层光子设备，其中，第一多个特征不规则且不均匀地分布在第一元结构色散区域中，并且其中，第二多个特征不规则且不均匀地分布在第二元结构色散区域中。
5.根据权利要求1所述的多层光子设备，其中，第一图案化层包括在横向平面中共同延伸的多个元结构色散区域。
6.根据权利要求1所述的多层光子设备，其中，所述多层堆叠还包括设置在第一元结构色散区域和第二元结构色散区域之间的蚀刻停止层。
7.根据权利要求1所述的多层光子设备，其中：
8.根据权利要求7所述的多层光子设备，其中，第三方向与第一方向对准。
9.根据权利要求7所述的多层光子设备，其中
10.根据权利要求9...
【专利技术属性】
技术研发人员：I·A·D·威廉姆森，M·舒伯特，A·K·C·张，
申请(专利权)人：X开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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