块寻址方法、装置、存储控制芯片及存储介质制造方法及图纸

技术编号:42621407 阅读:21 留言:0更新日期:2024-09-06 01:25
本申请公开了一种块寻址方法、装置、存储控制芯片及存储介质。该方法包括:读取并加载预先存储的块地址表;将当前绑定块的块序号作为索引因子,定位出当前绑定块位于块地址表所属的信息区;基于当前绑定块所属的信息区匹配的参数数据,按照寻址算法计算得到块地址;根据当前绑定块对应的块地址,完成对Flash的写入或者读取。通过绑定块的块序号作为索引因子在块地址表中快速定位出绑定块所属的信息区,并根据绑定块匹配信息区的参数数据,按照寻址算法得到块地址,能够快速得到绑定块的块地址,提高寻址效率,实现读写加速。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及闪存,特别是涉及一种块寻址方法、装置及存储控制芯片。


技术介绍

1、nandflash作为主流的存储介质之一,广泛应用于各类型的存储产品中,如u盘、sd卡等。nandflash的架构按照层次划分依次为bank、plane、block(块)和page(页),其中block是nandflash最小的擦除单元,而page是nandflash最小的读写单元。

2、multi-plane是nandflash提高读写性能的操作,该操作需预先按照配置好的绑定规则将来自不同plane的块绑定形成绑定块。当执行数据读写时,数据从绑定块中读写时,以此减少nandflash内部cacheregister和pageregister之间的传输时间,实现读写加速。

3、绑定块是来自不同plane的块组成,绑定块的块地址包含多个,这些块地址在量产阶段会生成块地址表来进行统一管理。相关技术中,当执行读写操作时,存储控制芯片需要加载整个块地址表来进行寻址,实现数据的读写,但由于每次读写都需要加载整个块地址表,绑定块的寻址效率偏低,对存储产品的随机读写性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种块寻址方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的块寻址方法,其特征在于,所述基于当前所述绑定块所属的所述信息区匹配的参数数据,按照寻址算法计算得到块地址,包括:

3.根据权利要求2所述的块寻址方法,其特征在于,所述解析出Flash中各Plane对应的块模板之后,还包括:

4.根据权利要求1~3中任意一项所述的块寻址方法,其特征在于,所述预先存储的块地址表,按如下方式生成:

5.一种块寻址装置,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的块寻址装置,其特征在于,所述寻址模块,包括:

7.根据权利要求5所...

【技术特征摘要】

1.一种块寻址方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的块寻址方法,其特征在于,所述基于当前所述绑定块所属的所述信息区匹配的参数数据,按照寻址算法计算得到块地址,包括:

3.根据权利要求2所述的块寻址方法,其特征在于,所述解析出flash中各plane对应的块模板之后,还包括:

4.根据权利要求1~3中任意一项所述的块寻址方法,其特征在于,所述预先存储的块地址表,按如下方式生成:

5.一种块寻址装置,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟振昌陈向兵胡来胜张如宏张辉
申请(专利权)人:深圳三地一芯电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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